セラミック工学ハンドブック 基礎・資料 第2版

技報堂出版／2002.3

当館請求記号：PA2-G92

目次

総目次

• 基礎 第1編
  材料の基礎科学
• • ■1.
    相平衡
    5
  • • 1.1
      熱力学
      5
    • • 1.1.1
        熱力学とは
        5
    • • 1.1.2
        熱平衡と状態量
        5
    • • 1.1.3
        内部エネルギーと熱力学第1法則
        5
    • • 1.1.4
        準静的過程と仕事
        6
    • • 1.1.5
        カルノー・サイクルと熱力学第2法則
        7
    • • 1.1.6
        クラウジウスの不等式とエントロピー
        8
    • • 1.1.7
        最大仕事と自由エネルギー
        9
    • • 1.1.8
        最小仕事と熱平衡
        9
    • • 1.1.9
        相平衡と相律
        10
  • • 1.2
      相平衡と状態図
      11
    • • 1.2.1
        熱力学的平衡
        11
    • • 1.2.2
        相平衡
        14
  • • 1.3
      状態図の利用
      23
    • • 1.3.1
        スピノーダル分解・分相
        23
    • • 1.3.2
        凝固過程
        25
    • • 1.3.3
        雰囲気制御
        26
    • • 1.3.4
        単結晶育成
        27
• • ■2.
    固体化学・構造
    28
  • • 2.1
      概説
      28
  • • 2.2
      固体化学
      28
    • • 2.2.1
        周期律と元素
        28
    • • 2.2.2
        化学結合
        29
    • • 2.2.3
        イオン半径
        29
    • • 2.2.4
        格子エネルギー
        30
  • • 2.3
      結晶学
      30
    • • 2.3.1
        結晶の対称性
        30
    • • 2.3.2
        格子定数
        37
    • • 2.3.3
        構造タイプとその関連
        38
  • • 2.4
      結晶変態
      64
    • • 2.4.1
        結晶変態の定義
        64
    • • 2.4.2
        結晶変態の構造特性
        64
    • • 2.4.3
        SiO₂の結晶変態
        65
  • • 2.5
      欠陥構造
      66
    • • 2.5.1
        点欠陥
        66
    • • 2.5.2
        線欠陥
        66
    • • 2.5.3
        面欠陥
        66
  • • 2.6
      非化学量論性
      67
    • • 2.6.1
        アニオン欠陥型
        67
    • • 2.6.2
        カチオン欠陥型
        68
• • ■3.
    表面と界面
    69
  • • 3.1
      概説
      69
  • • 3.2
      表面,界面の物理化学
      70
    • • 3.2.1
        表面,界面の熱力学
        70
    • • 3.2.2
        表面張力の測定
        72
    • • 3.2.3
        固体の表面エネルギーの計算法
        74
    • • 3.2.4
        固体表面張力の異方性
        74
  • • 3.3
      固体-気体界面
      75
    • • 3.3.1
        吸着
        75
    • • 3.3.2
        触媒反応
        76
    • • 3.3.3
        反応
        77
  • • 3.4
      固体-液体界面
      78
    • • 3.4.1
        ぬれ
        78
    • • 3.4.2
        電気二重層
        79
    • • 3.4.3
        LB膜
        80
    • • 3.4.4
        反応
        81
  • • 3.5
      固体-固体界面
      82
    • • 3.5.1
        界面
        82
    • • 3.5.2
        粒界
        83
    • • 3.5.3
        反応
        83
• • ■4.
    拡散
    86
  • • 4.1
      概説
      86
  • • 4.2
      拡散の現象論
      86
    • • 4.2.1
        フィックの法則と拡散方程式
        86
    • • 4.2.2
        拡散方程式の解
        86
  • • 4.3
      拡散の原子論
      88
    • • 4.3.1
        拡散の機構
        88
    • • 4.3.2
        自己拡散係数のミクロな内容
        88
  • • 4.4
      拡散係数
      89
    • • 4.4.1
        定比化合物の拡散
        89
    • • 4.4.2
        不定比性酸化物中の拡散
        90
    • • 4.4.3
        蛍石型構造中の拡散
        91
  • • 4.5
      拡散による反応
      92
    • • 4.5.1
        金属の酸化反応
        92
    • • 4.5.2
        加成反応
        92
  • • 4.6
      溶融体の拡散・粘度
      93
    • • 4.6.1
        粘性
        93
    • • 4.6.2
        圧力と粘度
        94
    • • 4.6.3
        拡散と粘度の関係
        95
    • • 4.6.4
        電気伝導度と拡散係数
        95
• • ■5.
    粉体
    98
  • • 5.1
      粉体の定義・特性
      98
  • • 5.2
      粉体の基礎特性
      99
    • • 5.2.1
        粒度
        99
    • • 5.2.2
        粒子間相互作用
        102
  • • 5.3
      粉体の充填構造
      102
    • • 5.3.1
        粉体の密度
        103
    • • 5.3.2
        粉体のかさ密度
        103
    • • 5.3.3
        粉体の充填構造と圧密過程
        103
  • • 5.4
      粉体分散系の特性
      104
    • • 5.4.1
        一般特性
        104
    • • 5.4.2
        粘土分散系の特性
        106
  • • 5.5
      粉体の粒子設計
      106
  • • 5.6
      超微粒子・機能性粉体
      106
    • • 5.6.1
        生成法および応用
        106
    • • 5.6.2
        焼結体原料粉
        107
• • ■6.
    焼結
    109
  • • 6.1
      焼結現象
      109
    • • 6.1.1
        焼結の定義
        109
    • • 6.1.2
        焼結の初期過程―接合とネックの形成
        109
    • • 6.1.3
        焼結の中期過程―粒成長と収縮
        110
    • • 6.1.4
        焼結の後期過程―閉気孔の消滅と緻密化
        110
    • • 6.1.5
        各種焼結方法
        111
  • • 6.2
      焼結モデル・速度論
      111
    • • 6.2.1
        焼結モデル
        111
    • • 6.2.2
        焼結速度論
        112
    • • 6.2.3
        初期焼結速度式
        113
    • • 6.2.4
        中期・後期段階
        114
  • • 6.3
      液相焼結
      114
    • • 6.3.1
        液相が焼結に及ぼす影響
        114
    • • 6.3.2
        初期焼結
        115
    • • 6.3.3
        中期焼結
        115
    • • 6.3.4
        終期焼結
        116
  • • 6.4
      反応焼結
      116
    • • 6.4.1
        はじめに
        116
    • • 6.4.2
        反応物質の供給
        117
    • • 6.4.3
        化学反応
        117
    • • 6.4.4
        焼結
        118
    • • 6.4.5
        微細構造
        118
  • • 6.5
      最近の動き
      120
    • • 6.5.1
        粒界拡散の重要性
        120
    • • 6.5.2
        異常成長粒子の制御
        120
  • • 6.5.3
      ニアネットシェイプ焼結
      121
• • ■7.
    結晶化
    122
  • • 7.1
      概説
      122
  • • 7.2
      結晶化理論
      123
    • • 7.2.1
        核生成
        123
    • • 7.2.2
        結晶成長
        124
  • • 7.3
      シミュレーション
      128
    • • 7.3.1
        成長理論への応用
        128
    • • 7.3.2
        結晶育成時の熱と物質移動の解析
        129
  • • 7.4
      バルク結晶育成
      131
    • • 7.4.1
        育成法の選択
        131
    • • 7.4.2
        融液法
        132
    • • 7.4.3
        溶液法
        133
    • • 7.4.4
        気相法
        134
    • • 7.4.5
        固相法
        135
    • • 7.4.6
        高圧環境下での育成
        136
  • • 7.5
      薄膜結晶
      137
    • • 7.5.1
        多結晶膜作製
        137
    • • 7.5.2
        単結晶膜
        139

• 基礎 第2編
  材料の製造プロセス
• • ■1.
    概説
    145
• • ■2.
    粉体原料の調整と前処理
    147
  • • 2.1
      概説
      147
  • • 2.2
      粉体の製造法
      148
    • • 2.2.1
        気相法
        148
    • • 2.2.2
        液相法
        151
    • • 2.2.3
        固相法
        153
  • • 2.3
      表面処理
      156
    • • 2.3.1
        表面改質物質の吸着による表面処理
        156
    • • 2.3.2
        表面化学反応を用いた方法
        158
    • • 2.3.3
        物理的・メカノケミカル的手法
        159
• • ■3.
    粉砕
    160
  • • 3.1
      概説
      160
  • • 3.2
      粉砕過程
      160
    • • 3.2.1
        粉砕過程の分類
        160
    • • 3.2.2
        粉砕機の分類
        161
  • • 3.3
      粉砕の理論
      162
    • • 3.3.1
        粉砕機構と固体の物性
        162
    • • 3.3.2
        粉砕の仕事法則
        162
    • • 3.3.3
        粉砕エネルギー効率および粉砕能
        162
    • • 3.3.4
        摩擦現象
        165
  • • 3.4
      粉砕生成物の粒度分布
      165
    • • 3.4.1
        粉砕生成物の粒度分布の表し方
        165
    • • 3.4.2
        粒度分布の近似関数
        166
  • • 3.5
      粉砕とメカノケミストリー
      167
    • • 3.5.1
        粉砕とメカノケミストリー
        167
    • • 3.5.2
        焼結性に対するメカノケミカル効果
        169
  • • 3.6
      分級
      170
    • • 3.6.1
        湿式分級技術の分類
        170
    • • 3.6.2
        分級結果の評価
        171
• • ■4.
    成形
    173
  • • 4.1
      概説
      173
  • • 4.2
      成形用スラリー・顆粒の調製
      174
  • • 4.3
      鋳込み成形
      176
  • • 4.4
      塑性成形
      178
    • • 4.4.1
        ろくろ成形
        178
    • • 4.4.2
        押出し成形
        179
  • • 4.5
      乾式成形
      180
    • • 4.5.1
        顆粒の調製と特性
        181
    • • 4.5.2
        一軸加圧成形の装置と工程
        181
    • • 4.5.3
        成形体の均質性
        182
  • • 4.6
      アイソスタティック成形
      183
    • • 4.6.1
        アイソスタティック成形法(CIP)の原理と種類
        183
    • • 4.6.2
        成形体密度に及ぼすCIP圧力とCIP繰返し数の効果
        184
  • • 4.7
      射出成形
      185
  • • 4.8
      シート成形
      187
    • • 4.8.1
        ドクターブレード法
        187
    • • 4.8.2
        カレンダ法
        188
• • ■5.
    乾燥
    191
  • • 5.1
      概説
      191
  • • 5.2
      乾燥過程
      191
    • • 5.2.1
        粒子の充填状態
        192
    • • 5.2.2
        乾燥に伴う巨視的状態変化
        192
    • • 5.2.3
        予熱期間
        192
    • • 5.2.4
        恒率乾燥期間
        192
    • • 5.2.5
        限界含水率
        193
    • • 5.2.6
        減率乾燥期間第1段
        193
    • • 5.2.7
        減率乾燥期間第2段
        193
    • • 5.2.8
        水分分布
        194
  • • 5.3
      乾燥中の成形体の収縮と変形・亀裂の発生
      194
    • • 5.3.1
        乾燥の段階と収縮
        194
    • • 5.3.2
        応力の生成と亀裂の発生
        195
    • • 5.3.3
        成形体中の不均質と変形,亀裂
        196
  • • 5.4
      各種乾燥方法と装置
      196
    • • 5.4.1
        成形体乾燥装置
        196
    • • 5.4.2
        粉体乾燥装置
        198
  • • 5.5
      脱脂
      199
    • • 5.5.1
        脱脂プロセスの設計因子
        199
    • • 5.5.2
        主な脱脂プロセス
        200
• • ■6.
    焼成と焼結
    202
  • • 6.1
      概説
      202
  • • 6.2
      焼成
      203
    • • 6.2.1
        焼成炉の種類と形式
        203
    • • 6.2.2
        燃焼式焼成炉
        207
    • • 6.2.3
        電気加熱焼成炉
        210
    • • 6.2.4
        常圧焼成炉の最近の進歩
        211
  • • 6.3
      焼結
      212
    • • 6.3.1
        焼結法の種類
        212
    • • 6.3.2
        常圧焼結
        213
    • • 6.3.3
        反応焼結
        215
    • • 6.3.4
        ホットプレス焼結
        216
    • • 6.3.5
        ガス圧焼結
        218
    • • 6.3.6
        熱間等方圧焼結
        219
    • • 6.3.7
        その他の焼結法
        222
• • ■7.
    溶融
    227
  • • 7.1
      概説
      227
  • • 7.2
      溶融の基礎
      227
  • • 7.3
      酸化物の溶融
      230
• • ■8.
    厚膜・薄膜合成
    231
  • • 8.1
      概説
      231
    • • 8.1.1
        気相法
        231
    • • 8.1.2
        液相法
        233
    • • 8.1.3
        固相法
        233
  • • 8.2
      PVD法
      233
    • • 8.2.1
        基礎過程
        234
    • • 8.2.2
        今後の展開
        236
  • • 8.3
      CVD法
      237
    • • 8.3.1
        原理と分類
        237
    • • 8.3.2
        CVD装置および条件
        238
    • • 8.3.3
        生成物の形態
        239
    • • 8.3.4
        CVDの具体例
        240
  • • 8.4
      液相法
      241
  • • 8.5
      その他の合成法
      242
    • • 8.5.1
        電気泳動法[Electrophoretic deposition(EPD) process]
        243
    • • 8.5.2
        バイオミメティック法(Biomimetic process)
        243
• • ■9.
    単結晶合成
    246
  • • 9.1
      概説
      246
  • • 9.2
      引上げ法
      246
  • • 9.3
      帯域溶融法
      249
  • • 9.4
      フラックス法
      251
    • • 9.4.1
        フラックス法の特徴
        251
    • • 9.4.2
        フラックスの選択
        251
    • • 9.4.3
        結晶の育成実験と育成例
        251
    • • 9.4.4
        フラックス法の応用
        252
  • • 9.5
      気相合成法
      252
    • • 9.5.1
        物理的気相法
        253
    • • 9.5.2
        化学的気相法
        253
• • ■10.
    仕上げ加工と接合
    255
  • • 10.1
      概説
      255
  • • 10.2
      加工・仕上げ技術の基礎
      256
    • • 10.2.1
        セラミックスと後加工
        256
    • • 10.2.2
        セラミックスの加工法
        256
    • • 10.2.3
        セラミックスの仕上げ技術
        256
  • • 10.3
      切断と穴あけ
      257
    • • 10.3.1
        外周型ダイヤモンド砥石による切断
        257
    • • 10.3.2
        内周型ダイヤモンド砥石による切断
        258
    • • 10.3.3
        マルチワイヤによる切断
        259
    • • 10.3.4
        マルチブレードによる切断
        260
    • • 10.3.5
        超音波加工による穴あけ
        260
    • • 10.3.6
        低周波振動による穴あけ
        261
    • • 10.3.7
        穴あけ条件,環境の影響
        261
  • • 10.4
      表面加工
      262
    • • 10.4.1
        セラミックスの研削加工
        262
    • • 10.4.2
        セラミックスの鏡面研削
        264
    • • 10.4.3
        セラミックスの研磨加工
        265
    • • 10.4.4
        セラミックスの特殊加工
        266
  • • 10.5
      接合
      268
    • • 10.5.1
        接合の基礎パラメータ
        268
    • • 10.5.2
        接合技術
        271
  • • 10.6
      電極形成
      275
    • • 10.6.1
        厚膜法
        276
    • • 10.6.2
        接着メカニズム
        277
    • • 10.6.3
        薄膜法
        279
• • ■11.
    品質管理
    281
  • • 11.1
      概説
      281
  • • 11.2
      観測値の統計処理
      281
    • • 11.2.1
        記述統計
        281
    • • 11.2.2
        分布関数
        283
    • • 11.2.3
        ワイブル分布
        286
    • • 11.2.4
        標本分布
        288
    • • 11.2.5
        母数の推定(estimation of population parameter)
        289
    • • 11.2.6
        検定
        290
  • • 11.3
      抜取検査
      291
    • • 11.3.1
        抜取検査とは
        291
    • • 11.3.2
        検査のコスト
        291
    • • 11.3.3
        抜取方法
        292

• 基礎 第3編
  材料物性
• • ■1.
    概説
    299
  • • 1.1
      材料物性と構造
      299
  • • 1.2
      結晶構造と物性
      299
  • • 1.3
      テンソル量と異方性
      300
  • • 1.4
      不均質性と物性
      300
  • • 1.5
      材料設計
      301
• • ■2.
    基礎物性
    303
  • • 2.1
      ポロシティと細孔径測定
      303
    • • 2.1.1
        密度測定
        303
    • • 2.1.2
        多孔性試料の密度とポロシティ
        303
    • • 2.1.3
        比表面積と細孔径分布
        304
    • • 2.1.4
        窒素吸着法(BET法)
        304
    • • 2.1.5
        細孔径分布
        305
    • • 2.1.6
        水銀圧入法
        305
  • • 2.2
      膜厚測定
      305
    • • 2.2.1
        膜厚モニタ
        305
    • • 2.2.2
        膜厚測定法
        306
• • ■3.
    機械的性質
    309
  • • 3.1
      弾性率
      309
    • • 3.1.1
        等方均質体の弾性率
        309
    • • 3.1.2
        結晶性固体の弾性率
        310
    • • 3.1.3
        弾性率の測定法
        312
    • • 3.1.4
        弾性率と原子間結合力
        312
    • • 3.1.5
        弾性的性質と微構造
        313
  • • 3.2
      硬度
      314
  • • 3.3
      強度とその分布
      316
    • • 3.3.1
        理論強度と実測強度
        316
    • • 3.3.2
        強度分布
        317
    • • 3.3.3
        強度試験法
        320
  • • 3.4
      破壊力学パラメータ
      322
    • • 3.4.1
        破壊力学の基礎概念
        322
    • • 3.4.2
        臨界応力以下で生じるクラックの進展
        323
    • • 3.4.3
        線形破壊力学の適用限界
        324
    • • 3.4.4
        破壊力学パラメータの評価
        325
    • • 3.4.5
        セラミックスの破壊靱性発現メカニズム
        326
  • • 3.5
      衝撃破壊
      327
    • • 3.5.1
        試験法
        327
    • • 3.5.2
        衝撃速度依存性
        327
    • • 3.5.3
        温度依存性
        327
    • • 3.5.4
        粒子衝突破壊
        328
  • • 3.6
      熱衝撃破壊
      328
    • • 3.6.1
        熱衝撃試験のキーポイント
        328
    • • 3.6.2
        熱衝撃試験法
        329
    • • 3.6.3
        熱衝撃パラメータ
        329
    • • 3.6.4
        熱衝撃破壊靭性
        330
  • • 3.7
      摩耗
      331
    • • 3.7.1
        摩耗の分類
        331
    • • 3.7.2
        摩耗の進行
        331
    • • 3.7.3
        比摩耗量・摩耗ファクター
        331
    • • 3.7.4
        表面物質層
        332
    • • 3.7.5
        温度・粒子線放射
        332
    • • 3.7.6
        雰囲気
        332
    • • 3.7.7
        組織の影響
        333
    • • 3.7.8
        トライボケミカル反応
        333
  • • 3.8
      ゆっくりした亀裂の伝播
      334
  • • 3.9
      疲労
      336
    • • 3.9.1
        疲労試験
        336
    • • 3.9.2
        亀裂の成長過程と疲労
        337
    • • 3.9.3
        繰返し疲労のメカニズム
        339
  • • 3.10
      高温破壊
      339
    • • 3.10.1
        セラミックスの高温破壊の特徴
        340
    • • 3.10.2
        セラミックスの高温での破壊靱性
        340
    • • 3.10.3
        セラミックスの高温での機械的特性の評価方法
        341
  • • 3.11
      クリープ
      341
    • • 3.11.1
        クリープ理論
        341
    • • 3.11.2
        変形機構図
        345
  • • 3.12
      超塑性
      345
    • • 3.12.1
        超塑性の特徴と変形機構
        345
    • • 3.12.2
        超塑性化の材料設計
        346
    • • 3.12.3
        超塑性利用成形加工技術
        347
• • ■4.
    電気的性質
    351
  • • 4.1
      導電率
      351
    • • 4.1.1
        電子導電性
        351
    • • 4.1.2
        真性半導体と不純物半導体
        352
    • • 4.1.3
        セラミックス半導体
        353
    • • 4.1.4
        イオン導電性
        353
    • • 4.1.5
        イオン輸率
        353
  • • 4.2
      絶縁抵抗と絶縁破壊電圧
      354
    • • 4.2.1
        絶縁抵抗とは
        354
    • • 4.2.2
        絶縁抵抗測定の難しさ
        354
    • • 4.2.3
        絶縁抵抗の基礎理論
        355
    • • 4.2.4
        絶縁破壊の基礎理論
        356
    • • 4.2.5
        セラミックスの特徴
        356
    • • 4.2.6
        絶縁抵抗測定法
        357
    • • 4.2.7
        絶縁破壊特性測定法
        357
  • • 4.3
      誘電率
      358
    • • 4.3.1
        誘電率と分極
        358
    • • 4.3.2
        分極率
        359
    • • 4.3.3
        誘電率の温度依存性
        360
    • • 4.3.4
        誘電率の周波数依存性
        360
    • • 4.3.5
        強誘電体の誘電率
        362
  • • 4.4
      圧電定数
      363
    • • 4.4.1
        関係式
        363
    • • 4.4.2
        セラミック圧電体の圧電定数
        365
    • • 4.4.3
        圧電定数測定
        365
    • • 4.4.4
        機械的品質係数
        368
    • • 4.4.5
        周波数定数
        369
    • • 4.4.6
        焦電係数
        369
  • • 4.5
      酸化物高温超伝導体
      369
    • • 4.5.1
        概要
        369
    • • 4.5.2
        酸化物高温超伝導体の特性
        371
    • • 4.5.3
        合成法
        374
  • • 4.6
      センサ機能
      375
    • • 4.6.1
        五感とセンサ
        375
    • • 4.6.2
        光センサ
        376
    • • 4.6.3
        変位センサ
        376
    • • 4.6.4
        温度センサ
        377
• • ■5.
    磁気的性質
    379
  • • 5.1
      磁性の起源
      379
  • • 5.2
      磁気の単位
      381
  • • 5.3
      磁性の種類
      382
    • • 5.3.1
        無秩序磁性
        382
    • • 5.3.2
        反強磁性
        383
    • • 5.3.3
        強磁性
        385
  • • 5.4
      磁化機構と磁化測定
      390
    • • 5.4.1
        多磁区結晶の磁化機構
        390
    • • 5.4.2
        単磁区微粒子の磁化機構
        391
    • • 5.4.3
        動的磁化機構
        392
    • • 5.4.4
        磁化測定
        393
  • • 5.5
      磁気異方性と磁気ひずみ
      395
    • • 5.5.1
        磁気異方性
        395
    • • 5.5.2
        磁気ひずみ
        397
  • • 5.6
      磁区と磁区観察
      397
    • • 5.6.1
        磁区の観察方法
        397
    • • 5.6.2
        磁壁
        401
    • • 5.6.3
        種々の磁区構造
        403
• • ■6.
    光学的性質
    407
  • • 6.1
      セラミックスの色
      407
  • • 6.2
      光吸収
      408
  • • 6.3
      反射率
      410
    • • 6.3.1
        鏡面(正)反射率
        410
    • • 6.3.2
        拡散反射率
        411
  • • 6.4
      屈折率
      411
    • • 6.4.1
        浸液による方法
        411
    • • 6.4.2
        焦点移動による方法
        412
    • • 6.4.3
        臨界角を利用する方法
        412
    • • 6.4.4
        分光計による方法
        413
  • • 6.5
      光散乱
      414
    • • 6.5.1
        ミー散乱
        414
    • • 6.5.2
        材料固有の光散乱
        414
  • • 6.6
      蛍光・りん光
      416
    • • 6.6.1
        発光中心
        416
    • • 6.6.2
        励起状態の緩和
        417
    • • 6.6.3
        励起過程
        418
  • • 6.7
      非線形光学効果
      419
    • • 6.7.1
        はじめに
        419
    • • 6.7.2
        測定技術
        420
    • • 6.7.3
        まとめ
        422
• • ■7.
    化学的性質
    423
  • • 7.1
      酸化・還元
      423
    • • 7.1.1
        酸化雰囲気におけるセラミックスの安定性
        423
    • • 7.1.2
        Ellingham図
        423
    • • 7.1.3
        CO₂やH₂Oによる酸化
        424
    • • 7.1.4
        非酸化物セラミックスの高温酸化
        424
    • • 7.1.5
        複合材料の安定性
        425
  • • 7.2
      侵食
      426
    • • 7.2.1
        耐火物
        426
    • • 7.2.2
        セメント硬化体の侵食
        429
    • • 7.2.3
        ガラス
        431
    • • 7.2.4
        セラミックスの高温腐食
        432
  • • 7.3
      インターカレーション
      434
  • • 7.4
      層間架橋(ピラリング)
      435
• • ■8.
    熱的性質
    438
  • • 8.1
      熱分析技術
      438
    • • 8.1.1
        熱分析とは
        438
    • • 8.1.2
        示差熱分析(DTA)および示差走査熱量測定(DSC)
        439
    • • 8.1.3
        熱重量測定
        441
    • • 8.1.4
        熱機械分析,熱膨張測定
        446
  • • 8.2
      熱量
      447
    • • 8.2.1
        熱量計の基本原理
        447
    • • 8.2.2
        非反応系のカロリメトリー
        447
    • • 8.2.3
        反応系カロリメトリー
        450
  • • 8.3
      蒸気圧と蒸発
      450
    • • 8.3.1
        セラミックスと高温蒸発
        450
    • • 8.3.2
        高温蒸気種
        451
    • • 8.3.3
        蒸気圧の測定法
        452
  • • 8.4
      熱伝導
      453
    • • 8.4.1
        格子振動による熱伝導
        454
    • • 8.4.2
        その他の効果による熱伝導
        455
    • • 8.4.3
        熱伝導率および熱拡散率の測定法
        455
  • • 8.5
      熱膨張
      456
    • • 8.5.1
        熱膨張係数
        456
    • • 8.5.2
        熱膨張の機構と理論
        457
    • • 8.5.3
        多結晶体および複合体の熱膨張
        457
    • • 8.5.4
        熱膨張の測定
        458
    • • 8.5.5
        熱膨張データと探索
        462
  • • 8.6
      加熱と温度測定
      462
    • • 8.6.1
        加熱
        462
    • • 8.6.2
        温度計測
        463

• 基礎 第4編
  分析
• • ■1.
    概説
    473
  • • 1.1
      材料工学における分析の役割
      473
    • • 1.1.1
        キャラクタリゼーションの目的意識
        473
    • • 1.1.2
        キャラクタリゼーションの究極の目的
        473
  • • 1.2
      セラミックスのキャラクタリゼーションの進歩
      474
    • • 1.2.1
        セラミックスにおける構造・組織の多様性
        474
    • • 1.2.2
        新しい分析手法
        474
  • • 1.3
      今後のキャラクタリゼーションの方向性
      475
    • • 1.3.1
        「古い問題」に再度光を
        475
    • • 1.3.2
        セラミックスの粒界の問題
        475
    • • 1.3.3
        非晶質と結晶質の中間状態
        475
    • • 1.3.4
        薄膜表面の性質と諸現象
        475
  • • 1.4
      まとめ
      475
• • ■2.
    組成分析法
    477
  • • 2.1
      化学組成分析法
      477
    • • 2.1.1
        重量分析法
        477
    • • 2.1.2
        容量分析法
        479
    • • 2.1.3
        ケイ酸塩の分析法
        481
  • • 2.2
      吸光法および発光法
      487
    • • 2.2.1
        吸光光度法
        487
    • • 2.2.2
        フローインジェクション分析法
        490
    • • 2.2.3
        原子吸光法
        492
    • • 2.2.4
        ICP発光法
        497
    • • 2.2.5
        スパークまたはアーク発光法
        501
  • • 2.3
      クロマトグラフィー
      503
    • • 2.3.1
        ガスクロマトグラフィー
        503
    • • 2.3.2
        液体クロマトグラフィー
        506
    • • 2.3.3
        イオンクロマトグラフィー
        510
  • • 2.4
      蛍光X線分析法
      512
    • • 2.4.1
        概要
        512
    • • 2.4.2
        原理
        512
    • • 2.4.3
        装置
        514
    • • 2.4.4
        分析方法
        517
  • • 2.5
      質量分析法
      519
    • • 2.5.1
        概要
        519
    • • 2.5.2
        原理
        519
    • • 2.5.3
        無機化合物のイオン化
        520
    • • 2.5.4
        有機化合物のイオン化方法
        522
    • • 2.5.5
        イオンの分離
        523
    • • 2.5.6
        イオンの検出
        525
    • • 2.5.7
        分析方法
        525
  • • 2.6
      放射化分析法
      525
    • • 2.6.1
        概要
        525
    • • 2.6.2
        分析方法
        526
    • • 2.6.3
        定量分析
        526
    • • 2.6.4
        おわりに
        529
• • ■3.
    構造・状態分析法
    531
  • • 3.1
      X線回折法
      531
    • • 3.1.1
        X線回折法の基礎
        531
    • • 3.1.2
        粉末法
        533
    • • 3.1.3
        単結晶法
        544
    • • 3.1.4
        小角X線散乱法
        548
  • • 3.2
      XAFS法
      550
    • • 3.2.1
        XAFSの応用
        550
    • • 3.2.2
        EXAFS
        551
    • • 3.2.3
        XANES
        552
    • • 3.2.4
        XAFSの測定
        553
    • • 3.2.5
        種々のXAFS
        554
  • • 3.3
      放射光を利用した分析法
      554
    • • 3.3.1
        概要
        554
    • • 3.3.2
        原理
        554
    • • 3.3.3
        装置
        557
    • • 3.3.4
        分析方法
        558
  • • 3.4
      赤外分光法
      559
    • • 3.4.1
        概要
        559
    • • 3.4.2
        原理
        560
    • • 3.4.3
        装置
        560
    • • 3.4.4
        分析方法
        561
  • • 3.5
      ラマン分光法
      562
    • • 3.5.1
        概要
        562
    • • 3.5.2
        原理
        563
    • • 3.5.3
        装置
        563
    • • 3.5.4
        分析方法
        564
  • • 3.6
      磁気共鳴分析法
      565
    • • 3.6.1
        電子スピン共鳴
        565
    • • 3.6.2
        NMR
        570
    • • 3.6.3
        メスバウアー分光法
        573
  • • 3.7
      X線光電子分光法
      577
    • • 3.7.1
        概要
        577
    • • 3.7.2
        原理
        577
    • • 3.7.3
        化学シフトについて
        577
    • • 3.7.4
        XPSの特徴と測定における注意事項
        578
    • • 3.7.5
        測定例
        578
  • • 3.8
      光学顕微鏡
      581
    • • 3.8.1
        微構造と組織
        581
    • • 3.8.2
        偏光顕微鏡
        585
    • • 3.8.3
        反射顕微鏡
        590
    • • 3.8.4
        高温顕微鏡
        592
  • • 3.9
      超音波診断法と放射線検査法
      592
    • • 3.9.1
        概要
        592
    • • 3.9.2
        超音波診断法の原理
        593
    • • 3.9.3
        超音波診断法
        593
    • • 3.9.4
        超音波診断法の装置
        594
    • • 3.9.5
        放射線透過検査の原理と方法
        596
    • • 3.9.6
        放射線検査の装置
        596
• • ■4.
    微小領域分析法
    600
  • • 4.1
      電子回折
      600
    • • 4.1.1
        LEED
        600
    • • 4.1.2
        RHEED
        603
    • • 4.1.3
        電子回折
        606
  • • 4.2
      電子顕微鏡
      609
    • • 4.2.1
        TEM
        609
    • • 4.2.2
        STEM
        619
    • • 4.2.3
        EELS法
        622
    • • 4.2.4
        SEM
        625
  • • 4.3
      X線マイクロアナリシス分析
      631
    • • 4.3.1
        はじめに
        631
    • • 4.3.2
        電子線と物質の相互作用
        631
    • • 4.3.3
        EPMAの構造
        632
    • • 4.3.4
        分析試料
        634
    • • 4.3.5
        分析条件の設定
        634
    • • 4.3.6
        分布分析
        634
    • • 4.3.7
        定量分析
        634
  • • 4.4
      オージェ電子分光法
      635
    • • 4.4.1
        概要
        635
    • • 4.4.2
        原理
        635
    • • 4.4.3
        装置
        636
    • • 4.4.4
        分析方法
        636
  • • 4.5
      イオンマイクロアナリシス
      637
    • • 4.5.1
        SIMS
        637
    • • 4.5.2
        RBS
        643
  • • 4.6
      その他の方法
      643
    • • 4.6.1
        STM
        643
    • • 4.6.2
        AFM
        647
    • • 4.6.3
        レーザプローブ分光法
        650

• 資料
• • ■1.
    物理量と単位
    657
  • • 1.1
      SI基本単位
      657
  • • 1.2
      SI接頭語
      657
  • • 1.3
      SI誘導単位
      657
  • • 1.4
      SIと併用される単位
      657
  • • 1.5
      その他の単位
      658
  • • 1.6
      SI,CGS系および工学単位系の対照表
      658
  • • 1.7
      圧力単位の換算表
      658
  • • 1.8
      エネルギー単位の換算表
      659
• • ■2.
    基礎物理定数
    660
• • ■3.
    ギリシャ文字
    661
• • ■4.
    各種幾何図形面積と体積
    662
• • ■5.
    元素の周期表
    665
• • ■6.
    元素・単体の性質
    666
  • • 6.1
      元素・単体の諸性質
      666
  • • 6.2
      元素の電子配置
      676
  • • 6.3
      単体の熱伝導率
      678
  • • 6.4
      標準電極電位
      680
• • ■7.
    結晶学的諸データ
    682
  • • 7.1
      イオン半径
      682
  • • 7.2
      金属結合半径
      683
  • • 7.3
      Van der Waals 半径
      684
  • • 7.4
      共有結合半径
      684
  • • 7.5
      電気陰性度
      685
  • • 7.6
      電子親和力
      685
  • • 7.7
      イオンの分極率および分解能
      686
• • ■8.
    ICP発光分光,原子吸収分光および炎光分光分析による元素の検出限界比較表
    687
• • ■9.
    固有X線スペクトルおよび吸収端波長表
    688
• • ■10.
    温度の定点
    692
  • • 10.1
      1968年採択された国際温度目盛(IPTS-68の定義定点)と一次定点
      692
  • • 10.2
      IPTS-68による二次定点
      692
  • • 10.3
      1976年採択された暫定温度目盛(EPT-76)T₇₆の参照点
      692
  • • 10.4
      アメリカ・カネギー地球物理学研究所の温度定点
      692
  • • 10.5
      1990年採択された国際温度目盛(ITS-90)
      693
• • ■11.
    各種熱電対の規準熱起電力
    694
  • • 11.1
      JIS規格(JIS C 1602-1995)に規定されている熱電対
      694
  • • 11.2
      JIS規格外の熱電対
      704
• • ■12.
    ゼーゲルコーン組成と溶倒温度,オルトンコーンの溶倒温度
    707
• • ■13.
    主要酸化物の融点と蒸気圧
    710
• • ■14.
    主要セラミックスの比熱
    713
• • ■15.
    基準ふるい
    727
  • • 15.1
      JIS規格(JIS Z 8801-1:2000)に規定されている試験用ふるい
      727
  • • 15.2
      JIS規格(JIS Z 8801-2:2000)に規定されている試験用ふるい
      729
  • • 15.3
      JIS規格(JIS Z 8801-3:2000)に規定されている試験用ふるい
      730
  • • 15.4
      各国標準ふるい比較表
      731
• • ■16.
    主要セラミックスの硬さ
    733
  • • 16.1
      モース硬さ
      733
  • • 16.2
      その他の硬さと概略対照図
      734
• • ■17.
    主要鉱物の化学組成
    735
• • ■18.
    主要平衡状態図
    737

• 総索引
  779

総索引

• あ
• • アーク線
    基501
• • アーク発光法
    基501
• • アーク放電加熱炉
    基210
• • アーマタイル
    応1456
• • RE123超伝導体
    応1595
• • RSSG法
    基133
• • RS型ブロック
    応977
• • RKKY相互作用
    基384
• • RDF(Refuse Derived Fuel)
    応192
• • ISO 14000
    応1629
• • ISO規格
    基315, 応1202
• • ISO試験規格
    応626
• • IF法
    基325
• • ICパッケージ
    応911
• • IGBT
    応1255
• • ICP発光法
    基497
• • アイソジャイヤ
    基590
• • アイソスタティック成形
    基183, 応579
• • アイソスタティックプレス成形法
    応635, 686
• • アイソマーシフト
    基574
• • アイソレータ
    応1104
• • ITO
    応954
• • ISP製錬
    応871
• • IVO
    基241
• • IVD
    基241
• • アイリッヒミキサ
    応405
• • アインシュタイン式
    基105
• • アウイン
    応321
• • 亜鉛華
    応592
• • 亜鉛結晶釉
    応711
• • 亜鉛製錬炉
    応871
• • 亜鉛臼
    応100
• • 青やけ
    基432
• • 赤津焼
    応744
• • 赤れんが
    応751
• • 亜急性毒性
    応1496
• • アクエンチングクーラ
    応234
• • アクセプタ
    基353, 355, 417
• • アサーマルガラス
    応452
• • 芦沼石
    応593
• • π→π^*許容遷移
    基407
• • アセチレンブラック
    応1567
• • アセト酢酸エチル法
    応218
• • アチソン法
    応795
• • 圧延用ロール
    応1367
• • 圧縮試験
    応609
• • 圧縮密度
    基103
• • 圧縮釉薬
    応754
• • 圧縮率
    基309
• • 圧電アクチュエータ
    応1061, 1069
• • 圧電効果
    基363, 応1039
• • 圧電式加速度センサ
    応1067
• • 圧電セラミックス
    応1052
• • 圧電体
    基363
• • 圧電定数
    基365
• • 圧電点火装置
    応1069
• • 圧電トランス
    応1074
• • 圧電薄膜
    応1047, 1048
• • 圧電薄膜デバイス
    応1051
• • 圧電ブザー
    応1071
• • 圧電変換素子
    応1557
• • 圧入材
    応846
• • 厚板製造
    応414
• • アップコンバージョン
    基418, 応378
• • アップドロー法
    応421
• • アッベ屈折計
    基413
• • アッベ結晶屈折計
    基413
• • アッベ数
    応449
• • 厚膜
    基231
• • 厚膜回路用ガラス
    応479
• • 厚膜ペースト
    応479, 950
• • 厚膜法
    基276
• • 厚膜法多層配線基板
    応908
• • 圧力式温度計
    基467
• • 圧力スウィング法
    応1434
• • 圧力測定法
    基305
• • Advantexガラス
    応463
• • 穴あけ
    基257, 応508
• • アナタース
    応65, 93, 1610
• • アノーサイト質耐火断熱れんが
    応896
• • あばた
    応726
• • アパタイト
    応497
• • アパタイト系充填剤
    応1547
• • アパタイト系セメント
    応1548
• • アパタイト構造
    応972
• • アプライト
    応12, 51
• • 油潤滑
    応1282
• • アプレシブ摩耗
    基331, 応1282
• • 網入りガラス
    応415, 440
• • 網目形成酸化物
    応356
• • 網目研磨布
    応1346
• • 網目構造
    応963
  • • ―の切断
      基431
• • 網目ディスク
    応1346
• • アメリカディナーウェアの素地
    応665
• • アモルファス金属
    応364
• • アモルファス磁性合金
    応1624
• • アモルファス炭素
    応1404
• • アラゴナイト
    応98
• • 霰石
    応18
• • 有田焼
    応738
• • 亜硫酸カルシウム
    応139
• • アルカリ骨材反応
    基430, 応224, 291, 299
• • アルカリシリカ反応
    基430, 応224, 300
• • アルカリ炭酸塩反応
    応224
• • アルカリ長石
    応11, 49
• • アルカリ溶出量
    応483
• • アルキメデス法
    基303, 応389
• • アルケメイド線
    基21
• • アルコキシド
    応71
• • アルニコ磁石
    応1089
• • アルミナ
    基120, 213, 応80, 787, 912, 1145, 1503, 1581, 1582, 1590, 1602
  • • β-―
      応966
  • • ―の加熱相変化
      応48
  • • ―の製法
      応80
• • アルミナ応用製品
    応1133
• • アルミナ-カーボン質れんが
    応828
• • アルミナ含有磁器
    応753
• • アルミナ基板
    応907
• • アルミナ系工具
    応1286
• • アルミナ骨頭
    応1504
• • アルミナ質磁器
    応761, 762
• • アルミナ質耐火断熱れんが
    応896
• • アルミナ質電鋳れんが
    応837
• • アルミナ質れんが
    応821
• • アルミナ-シリカ系電鋳れんが
    応837
• • アルミナ-シリカ繊維
    応890
• • アルミナジルコニア研削材
    応1317
• • アルミナス陶材
    応673
• • アルミナセメント
    応323, 799
  • • ―の水和反応
      応323
  • • ―の製造方法
      応323
  • • 一の用途
      応325
• • アルミナセラミックス
    応1145
• • アルミナ繊維
    応892
• • アルミナ-炭化ケイ素-カーボン質れんが
    応831
• • アルミナ粉体の物性
    応83
• • アルミニウム合金の組成
    応544
• • アルミニウム電解用電極
    応1420
• • アルミニウムほうろう
    応544
  • • ―の試験方法
      応546
  • • ―の製造
      応545
  • • ―の素地
      応544
• • アルミネート相
    応260
  • • ―の水和
      応265
• • アルミノケイ酸塩ガラス
    応359
• • アルミン酸塩ガラス
    応361
• • アルミン酸カルシウム
    応323
• • アルミン酸カルシウム系化合物
    応261
• • アルミン酸カルシウム水和物
    応324
• • アロイ治具
    応1449
• • アロフェン
    応16
• • アロン
    応1157
• • 合わせガラス
    応442, 444
• • アンカー効果
    基278, 応952
• • 暗視野像
    基613
• • 安全ガラス
    応444
• • アンダーサイズ
    基165
• • アンダーチャージ方式燃焼
    応695
• • アンダルーサイト
    応48
• • アンチサイト欠陥
    基66
• • アンチモン黄
    応597
• • アンチモンドープ酸化第二スズ
    応99
• • アンチモン乳白フリット
    応514
• • 安定化ジルコニア
    応959, 970, 1147, 1565, 1584
• • 安定化ジルコニア酸素センサ
    応1620
• • アンドレアゼン径
    応660
• • Andrade型粘度式
    基93
• • Andreasen式
    応842
• • アンバー
    応447
• • AN-FO爆薬
    応230
• • アンブリゴナイト
    応590
• • アンプル
    応484
• • アンプル封入法
    応984

• い
• • EEM加工
    応1354
• • ESR
    基410
• • ESCA
    応434
• • EL
    応1124
• • ELID研削
    基263
• • ECR-MBEスパッタ法
    応1049
• • η相
    応1296
• • EDFA
    応1115
• • EPD (electrophoretic deposition)
    基243
• • 硫黄
    応15
• • イオンクロマトグラフィー
    基510
• • イオン結合
    基29
• • イオン結合結晶
    基39
• • イオン交換
    応429, 1616
• • イオン交換クロマトグラフィー
    基506
• • イオン交換性
    応478
• • イオン交換性層状結晶
    基434
• • イオン交換体の分類
    応1617
• • イオン交換等温線
    応1616
• • イオン交換法
    応459
• • イオンスパッタリング法
    基232
• • イオン選択性
    応1616
• • イオン注入
    応1223
  • • ―による構造変化
      応1224
  • • ―による薄膜の形成
      応1225
  • • ―による表面改質
      応1224
• • イオン伝導
    応379
• • イオン半径
    基29, 41, 45
• • イオン比
    基45
• • イオンプレーティング
    応1304
• • イオンプレーティング法
    基232, 応955
• • イオン分極
    基359, 応1000
• • 鋳ぐるみ
    基271
• • 異形断面ガラス繊維
    応466
• • 鋳込み成形
    基176, 応578
• • 異常成長粒子
    基120
• • 異常部分分散ガラス
    応452
• • 異常粒成長
    基110, 135
• • 移植試験
    応1498
• • 異組成融合ガラス繊維
    応466
• • 板ガラス
    応413, 440
• • 板振動型吸音材
    応1625
• • 板チタン石
    応18
• • 1-3型複合圧電材料
    応1065
• • 一軸圧縮試験法
    応632
• • 一軸磁気異方性
    基395
• • 一軸成形法
    基180
• • 一軸性結晶
    基586
• • 1次電気光学効果
    応1119
• • 1次相転移
    基64, 応350
• • 一時ひずみ
    応422
• • 1次粒子
    基98
• • 1成分系状態図
    基14
• • 一度焼き
    応690
• • 一方向凝固共晶セラミックス
    応1191
• • 位置母数
    基286
• • 一酸化チタン
    応92
• • 一斉回転モデル
    基391
• • 一定応力速度試験
    基335
• • 一般毒性
    応1495
• • 一般砥粒
    応1315
• • 一般廃棄物処理の現状
    応188
• • 一方成分溶出法
    基156
• • 糸道
    応1385
• • 燻し瓦
    応700, 748
• • 異方性
    応981
• • 異方性磁界
    基391, 応1080
• • 異方性磁石
    応1089
• • イメージプレート
    基546
• • イメージ炉
    基463
• • イメージングプレート
    基618
• • イライト
    応24
• • イライト族
    応10
• • 医療用ガラス
    応483, 485
• • Irwinの式
    基326
• • イルメナイト
    応93, 593
• • 色中心
    基408
• • 色むら
    応727
• • 色釉
    応713
• • inclusion pigments
    応656
• • イングレーズ
    応691
• • イングレーズ絵具
    応602
• • イングレーズゴールド
    応723
• • インターカレーション
    基434
• • インターカレート
    応1429, 1560
• • インデックス燃焼
    応697
• • インテリジェント材料
    応1189
• • インパクトアセスメント
    応1633
• • インピーダンスアナライザ
    基367
• • インプリント
    応1033
• • インペラブレーカ
    応662

• う
• • ウィスカ強化セラミックス
    応1172
• • ウィスカ系工具
    応1287
• • 植木鉢
    応752
• • ウェット法
    応1009
• • β-ウォラストナイト
    応491
• • ウスタイト
    応36
• • 打抜き型
    応1360
• • ウラン
    応1576
• • ウラン酸ソーダ
    応595
• • ウルツ鉱型BN (w-BN)
    応118
• • ウレキサイト
    応34
• • 上絵
    応691
• • 上絵金
    応723
• • 上絵具
    応600
• • 上釉
    応512, 541, 548, 589
  • • ―の焼成温度
      応542
  • • ―の性質
      応542
  • • ―の製法
      応541
  • • ―の目的
      応541
• • 上釉掛け
    応542
• • 上釉フリット組成
    応514
• • 雲母族
    応10

• え
• • エアクエンチングクーラ
    応230
• • エアブレンディングサイロ
    応238
• • 永久磁石
    応1087
• • 永久ひずみ
    応422
• • 映進面
    基36
• • 鋭錐石
    応16
• • 衛生陶器の素地
    応664
• • HIP (Hot isostatic pressing)
    基219
• • HDC法
    基101
• • ARガラス
    応464
• • AIN
    応916
• • AES
    応434
• • AE減水剤
    応280, 291
• • AEコンクリート
    応288
• • AE剤
    応279
• • AEセンサ
    応1068
• • AFM
    基308
• • AFm相
    応266
• • AFt相
    応267, 272
• • AlN薄膜
    応1047
• • ALC用生石灰
    応172
• • Al₂O₃
    応1389
• • AOQL (average outgoing quality limit)
    基293
• • AQL
    基293
• • AOQ (average outgoing quality)
    基292, 応230
• • a-C
    応1408
• • a-C:H
    応1408
• • ACRT法
    基133, 252
• • α-AgI
    応973
• • AC法熱量計
    基449
• • AG炉
    応1418
• • AZS系電鋳れんが
    応836
• • AZCれんが
    応826
• • EPMA
    応434
• • エームス試験
    応1496
• • エーライト
    応243, 259
  • • ―の化学組成
      応246
  • • ―の結晶構造
      応245
  • • ―の結晶成長
      応259
  • • ―の水和反応
      応263
• • 液-液不混和
    応394
• • エキシトン
    基408
• • 液晶調光ガラス
    応1626
• • 液状バフ研磨剤
    応1351
• • 液浸法
    応495
• • 液性限界試験
    応609
• • 液相エピタキシー
    基139
• • 液相温度
    応393
• • 液相焼結
    基114, 212
• • 液相線
    基15
• • 液相炭素化
    応1405
• • 液相沈降法
    基100
• • 液体クロマトグラフィー
    基503
• • 液体サイクロン
    基171, 応660
• • 液体自由体積理論
    基93
• • 液体炭素
    応1402
• • 液体培地希釈法
    応1499
• • 液体ホーニング
    応1355
• • 液滴法
    基268
• • 易動度
    基351
• • エクスツルード・ホーン・プロセス
    応1355
• • エコセメント
    応340
• • エコバリュー
    応343
• • SRL-CP法
    応987
• • SrBi₂Ta₂O₉
    応1033
• • SIMS
    応434
• • SiC
    応1389, 1581, 1585
• • n型SiC
    応1592
• • SiC基板
    応919
• • SiC系繊維
    応1170
• • SiC耐火物
    応835
• • SiC長繊維
    応1586
• • SiCバリスタ
    応944
• • Si₃N₄
    応1585
• • SI単位系
    基381
• • SEE法
    基252
• • SENB試片
    基325
• • SEPB法
    基325
• • SHS
    基224
• • SAWデバイス
    応1043
• • SAW (surface acoustic wave)フィルタ
    応1072
• • S-N線図
    基337
• • SN詰物
    応852
• • SM
    応233
• • SmCo磁石
    応1089
• • SOFC
    応970, 1565
• • SO₂センサ
    応1621
• • SQ接合
    基273
• • SQUID磁力計
    基393
• • S-Wモデル
    応1094
• • STM
    基308
• • S-t線図
    基337
• • SP (suspension preheater)
    応233
• • SPS
    基222
• • sp混成軌道
    応1399
• • sp²混成軌道
    応1399
• • sp³混成軌道
    応1399
• • SBT
    応1033
• • SBF
    応1490
• • エチレングリコール法
    応218
• • XRD-FTIR
    基441
• • XRD-DSC
    基441
• • XAFS
    基406
• • X線回折
    基531, 応434
• • X線回折試験
    応620
• • X線回折法
    応806
• • X線管
    応473
• • X線吸収広域微細構造
    基408
• • X線光電子分光法
    基577
• • X線透過法
    基100
• • X線マイクロアナリシス
    基631, 応806
• • X線モノクロメータ
    応1427
• • 絵付け加工
    応448
• • 絵付けの校正印刷
    応717
• • 絵付焼き
    応691
• • エッジランナ
    応662
• • HIDランプ用ガラス
    応468
• • HIP
    応1289, 1294
• • HIP炉
    応880
• • HOPG
    応1404, 1426
• • HM
    応233
• • HDDR磁石
    応1090
• • エトリンガイト
    基429, 応261, 266, 272, 274
• • エナメル陶材
    応673, 767
• • Ni内部電極
    応1008
• • Ni内部電極積層セラミックコンデンサ
    応1012
• • NEXAFS
    基408
• • Naイオン伝導体
    応966
• • NSP (new suspension preheater)
    応233
• • NMR
    基410
• • n回回転軸
    基33
• • n回軸
    基33
• • n型シリコン
    応1572
• • n型半導体
    基353, 417
• • n次相転移
    基64
• • NdFeB磁石
    応1090
• • Nd含有リン酸塩ガラス
    応1115
• • Ndドープバリウムクラウンガラス
    応1114
• • Nd系ボンド磁石
    応1090
• • NTCサーミスタ
    基377, 応939
• • n→π^*遷移
    基408
• • エネルギー
    基9
• • エネルギー回収年数
    応1569
• • エネルギー開放率
    基323
• • エネルギーギャップ
    基352
• • エネルギー分散型X線分光
    基610, 619
• • エネルギー分散型X線分光器
    基628
• • エネルギー分散方式
    基513
• • エネルギー変換素子
    応1557
• • エネルギー保存則
    基6
• • 絵具
    応596
• • エバルト球
    基600
• • FRP (fiber reinforced plastics)
    応1185
• • FEM計算
    応814
• • FED
    応1124
• • FSZ (Fully Stabilized Zirconia)
    応1147
• • FSDP (First Sharp Diffraction Peak)
    応351
• • F型ブロック
    応977
• • FGMs (functionally graded materials)
    応1187
• • FZ (floating zone)法
    基250
• • FDA試験規格
    応626
• • エマルション
    応1351
• • エマルション法
    基153
• • MIC
    応1538
• • MIC法
    応1499
• • MAS (magic angle spinning)法
    基571
• • MS
    応1426
• • MHD (multilayer-hybrid-circuit-device)
    応1086
• • MHD発電
    応1581
• • MHD発電システム用材料
    応1251
• • Mn-Mgフェライト
    応1085
• • Mn-Znフェライト
    基27, 応1083
• • MnBi
    応1099
• • MMC (metal matrix composites)
    応1182
• • MLFC (multilayer-ferrite-chip-component)
    応1086
• • Mo-Mnメタライズ法
    基272
• • MOCVD
    基238
• • MOCVD法
    応989
• • MOVCVD
    基232
• • MOVPE
    基140
• • MO法
    応352
• • MgO基板
    応923
• • MCVD (modified chemical vapor deposition)
    基241
• • MCVD法
    応1116
• • MD法
    応352
• • MTG (Melt Texture Growth)法
    応990
• • MBE
    基139
• • MBE法
    応989
• • MPMG(Melt-Power-Melt-Growth)法
    応990
• • MO-CVD法
    応1049
• • MBC法
    応1499
• • エメリー
    応1316
• • エラスティック・エミッション・マシニング
    応1354
• • エリンガム図
    基78, 423
• • Liイオン伝導体
    応963
• • LiNbO₃結晶
    応1046
• • LiNbO₃膜の作製
    応1050
• • Li₂B₄O₇
    応1043
• • LiTaO₃結晶
    応1046
• • LiTaO₃膜の作製
    応1050
• • LEC法
    基247
• • La₃Ga₅SiO₁₄
    応1043
• • LS多重項
    基380
• • LN結晶
    応1046
• • LCA
    応1629
• • LGS
    応1043
• • LCD用基盤ガラス
    応473
• • LWG炉
    応1418
• • LTPD (lot tolerance persent defective)
    基292
• • LPE
    基139
• • LPE法
    基252
• • LBO
    応1043
• • LB膜
    基80
• • エルビウムドープ光ファイバ増幅器
    応1115
• • エレクトロクロミック材料
    応1125
• • エレクトロルミネッセンス
    基418, 応1124
• • エレクトロルミネセンスほうろう
    応557
• • 塩害
    応299
• • 塩化ナトリウム試験
    応533
• • 塩基性酸化鉛
    応592
• • 塩基性炭酸亜鉛
    応100
• • 塩基性炭酸マグネシウム
    応97
• • 塩基性溶解
    基432
• • 塩基度
    基433, 応282, 397
• • エンジニアセラミックス
    応1144
  • • ―の部品設計
      応1228
• • 遠心鋳込み成形
    基176
• • エンジン関係部材
    応1235
• • 遠心成形法
    応418
• • 遠心沈降光透過法
    基100
• • 遠心破壊強さ
    応1327
• • 遠心分級
    基171
• • 遠心分離機
    応660
• • 遠心法
    応461
• • 遠心ポンプ
    応1506
• • 遠心力締固め
    応308, 310
• • エンスタタイト
    応22
• • 遠赤外線乾燥
    応688
• • 堰層容量型コンデンサ
    応1014
• • 堰層容量型半導体セラミックコンデンサ
    応1013
• • 塩素の定量
    応219
• • 鉛丹
    応592
• • エンドポート式
    応410
• • エントレインドエア
    応288
• • エントロピー
    基5, 9
• • エントロピー増大の原理
    基9
• • エントロピー変化
    基9
• • 鉛白
    応592
• • エンボス
    応508
• • 沿面放電
    基358

• お
• • 横炎式窯
    応579
• • 黄色顔料
    応518
• • 黄鉄鉱
    応30
• • 黄土
    応593
• • 凹版
    応720
• • 押棒式熱膨張計
    基458, 応608
• • 応力拡大係数
    基323
• • 応力黒鉛化
    応1408
• • 応力指数
    基342
• • 応力配向
    応1408
• • 応力破断試験
    基335
• • 応力-ひずみ曲線
    応630
• • 応力腐食
    基323
• • 応力腐食割れ
    基334
• • 応力誘起拡散
    基342
• • 応力誘起相転移
    応1147
• • OHラジカル
    応1609
• • OC曲線
    基292
• • オージェ電子
    基635
• • オージェ電子分光法
    基635
• • オーステナイト系ステンレス
    応555
• • オートクレーブ処理
    応332
• • オートクレーブ処理軽量気泡コンクリート
    応334
• • オートクレーブ養生
    応311
• • オートコリメイション法
    基413
• • オーバーサイズ
    基165
• • オーバコートペースト
    応480
• • OVD
    基241
• • オープンサイクル型MHD発電
    応1582
• • オキシカーバイドガラス
    応369
• • オキシナイトライドガラス
    応369
• • オキシ酸錯体
    応397
• • オキシハライドガラス
    応363
• • オキシフルオライドガラス
    応364
• • 置きトチ
    応703
• • 置物
    応744
• • オクテット配列
    基28
• • 遅れ破壊
    基334
• • オケルマナイト
    応26
• • 押込み硬度
    応617
• • 押出し口金
    応1613
• • 押出し成形
    基179
  • • ―と杯土
      応684
• • オシレーションバッチチャージャ
    応406
• • Ostwald成長
    基110, 応259
• • オゾン層破壊
    応1601
• • 鬼板
    応593
• • オパール
    応28
• • オパールガラス
    応457
• • オフセット印刷
    応718
• • オフセット砥石
    応1338
• • オプトエレクトロニクス
    応1113
• • オペーク陶材
    応673, 767
• • オリゴジナミー効果
    応555
• • オリビン
    応56
• • オルソスコープ
    基588
• • オルトケイ酸塩
    応9
• • オレンジビール
    応537
• • おろし金
    応1394
• • オングストローム法
    基456
• • 温度サイクル法
    基252
• • 温度差法
    基252
• • 温度ジャンプ法
    基450
• • 温度スウィング法
    応1434
• • 温度の定義
    基463
• • 温度変調DSC
    基439, 440
• • 温度変調熱分析
    基439
• • 温度補償用コンデンサ
    応1006
• • 温度履歴
    応704
• • 温風ヒータ
    応939

• か
• • カー顕微鏡
    基398
• • カー効果
    応1099, 1118
• • 加圧酸分解法
    基499
• • 加圧締固め
    応308
• • 加圧焼結窒化ケイ素
    応1381
• • 加圧水型原子炉
    応1575
• • 加圧ニーダ
    基186
• • 加圧燃焼焼結法
    応1211
• • カーテンウォール
    応1451
• • カードハウス構造
    基106
• • カーナイト
    応26
• • カーナル石
    応20
• • ガーネット型フェライト
    応1103, 1099
• • カーバイト
    応167
• • カーバイト用生石灰
    応167
• • カーボランダム
    応105
• • カーボンアンバーガラス
    応457
• • カーボン・カーボン複合材料
    応1586
• • カーボンナノチューブ
    応1401, 1404, 1465
• • カーボンナノパーティクル
    応1462
• • カーボンブラック
    応64, 1404, 1443, 1567, 1623
• • カーボンブラック製造炉
    応871
• • 開回路粉砕
    基161, 応235
• • 開管化学輸送法
    基253
• • 開管昇華法
    基253
• • 開気孔
    基303
• • 回帰直線
    基283
• • 解砕
    基160
• • 外周型ダイヤモンド砥石
    基257
• • 外周研削
    応1340
• • 海水マグネシア
    応169, 181
• • 海水マグネシアクリンカー
    応53
  • • ―の化学組成
      応54
• • 階段採掘法
    応229
• • 灰チタン石
    応30
• • 灰長石
    応16
• • 回転
    基34
• • 回転アーク溶融法
    応486
• • 回転型乾燥装置
    応690
• • 回転式施釉機
    応715
• • 回転浸食試験
    応813
• • 回転引上げ法
    基246
• • 回転法
    応391
• • 回転曲げ疲労試験
    基337
• • 回転粒界
    基67
• • カイナイト
    応26
• • 回反
    基34
• • 回分操作
    基161
• • 海碧
    応598
• • 界面
    基69
• • 界面エネルギー
    基70
• • 界面過剰量
    基70
• • 界面活性作用
    応278
• • 界面自由エネルギー
    基71
• • 界面張力
    基69, 70
• • 界面反応層
    応952
• • 界面分極
    基359, 応1001
• • カイヤナイト
    応48
• • 海緑石
    応24
• • 蛙目粘土
    応13, 44, 582
• • ガウスの法則
    応999
• • Gaudin-Schuhmann分布
    基167
• • 火炎噴霧法
    応71
• • 火炎法
    応461
• • カオリナイト
    応9, 13, 26, 44, 581
• • カオリン
    応13, 44, 581, 592
• • カオリン鉱物
    応10
• • 化学炎法
    基150
• • 化学気相析出
    基237
• • 化学吸着
    応1615
• • 化学強化
    応429
• • 化学強化ガラス
    応478, 1392
• • 化学結合
    基29
• • 化学工業用せっ器の素地
    応669
• • 化学工業用耐酸磁器
    応764
• • 化学混和剤
    応278
• • 化学シフト
    基577, 636
• • 化学蒸着法
    応1289
• • 化学浸透法
    応1586
• • 化学セッコウ
    応141
• • 化学センサ
    応956
• • 化学蓄熱
    応1587
• • 化学的乾燥
    基191
• • 化学的沈殿岩
    応8
• • 化学的融着
    応505
• • 化学的輸送法
    基253
• • 化学分析
    応622
• • 化学平衡
    基13
• • 化学法
    応225
• • 化学ポテンシャル
    基10, 12
• • 化学輸送法
    基240
• • 化学溶液析出法
    基137
• • 架橋効果
    基158
• • 架橋前躯体イオン
    基436
• • 拡散
    基86
• • 拡散クリープ
    基341
• • 拡散係数
    基86, 89
• • 拡散障壁層
    応929
• • 拡散浸透法
    応1375
• • 拡散窒化
    応1526
• • 拡散機構
    基88
• • 拡散反射
    基410
• • 拡散反射率
    基411
• • 拡散方程式
    基86
• • 核磁気共鳴分光分析装置
    基570
• • 核種の放射化分析
    基526
• • 核生成
    基123
• • 角閃石族
    応16
• • 拡大係数
    基323
• • 核燃料
    応1575
• • 核分裂中性子
    応1581
• • 核分裂反応
    応1577
• • 核融合中性子
    応1581
• • 核融合反応
    応1579
• • 核融合炉
    応1455
• • 核融合炉関連セラミックス
    応1580
• • 確率密度関数
    基283
• • 欠け
    応725
• • 化合物太陽電池
    応1570
• • 化合物沈殿法
    基152, 応71
• • 化合物半導体
    応1570
• • かさ密度
    基103, 303
• • 過酸化チタン
    応92
• • 火山岩
    応7
• • 火山砕屑岩
    応8
• • 荷重-深さ曲線
    基316
• • 仮焼マグネシア
    応96
• • 加飾材料
    応596
• • ガス圧焼結
    基207, 218, 応1289
• • 加水分解法
    応71
• • ガスクロマトグラフ
    応434
• • ガスクロマトグラフィー
    基503
• • ガスセンサ
    応932, 956
  • • ―の種類
      応1618
• • ガスタービン
    応1558
• • ガスタービン部材
    応1239, 1251, 1273
• • ガスタービン用耐熱材料
    応1583
• • ガス発生炉
    応872
• • 霞石
    応28, 52, 589
• • 火成岩
    応7
• • カセイソーダの回収
    応168
• • 仮像
    応69
• • 仮想温度
    応350
• • 画像処理法
    応606
• • カソードミネッセンス
    基418
• • 加速度センサ
    基376
• • 可塑成形
    応1210
• • 可塑性原料
    応581
• • 可塑性粘土
    応582
• • 型板ガラス
    応415, 440
• • 型込め(モールド)成形
    応1417
• • 型吹き
    応523, 722
• • 褐色アルミナ研削材
    応1317
• • 褐色顔料
    応519
• • 活性亜鉛華
    応100
• • 活性化体積
    基345
• • 活性金属ろう付け法
    基272
• • 活性炭
    応1432, 1574, 1615
• • 滑石
    応10, 15, 57, 588, 592
  • • ―の化学組成
      応57
• • 合致溶融
    基16
• • 褐鉄鉱
    応593
• • カット加工
    応448
• • カップリング剤
    応465
• • 渦電流損失
    応1079
• • CdTe太陽電池
    応1571
• • 金型プレス成形応
    685
• • 加熱加圧法
    応675, 769
• • 加熱急冷試験
    応531
• • 加熱試験
    応531
• • 加熱収縮曲線
    応640
• • 加熱水酸化ナトリウム試験
    応533
• • 可燃性ガスセンサ
    応1620
• • カバーコート
    応719
• • かび抵抗性試験
    応1501
• • カプセルフリー法
    基221
• • カプセル法
    基220
• • 下部燃焼
    応695
• • 下部臨界磁場
    基373
• • 壁タイルの素地
    応664
• • 紙切断刃
    応1363
• • カム
    応1393
• • カムフォロワ
    応1393
• • カラーセンター
    応375
• • 空孔拡散機構
    基88
• • カラーフィルタガラス
    応457
• • カラーブラウン管
    応481
• • 唐子絵
    応738
• • ガラス
    基145
  • • ―の均質度
      応434
  • • ―の結晶化
      応391
  • • ―の侵食
      基431
  • • ―の成形
      応412
  • • ―の製造欠点
      応431
  • • ―の製造工程
      応402
  • • ―の切断
      応423
  • • ―の熱衝撃破壊
      応385
  • • ―の熱的安定性
      応385
  • • ―の比熱
      応382
  • • ―の分相
      応394
  • • ―のリサイクル
      応436
• • ガラス化範囲
    応355
• • ガラス化反応
    応353, 406
• • ガラス化率
    応282
• • ガラス管の成形
    応420
• • ガラス系セメント
    応1520
• • ガラス工業用耐火物
    応874
• • ガラス状炭素
    応1404, 1423
• • ガラスセラミックス
    応906
• • ガラスセラミックス複合系材料
    応912
• • ガラス繊維
    応461
• • ガラス短繊維
    応461
• • ガラス長繊維
    応463
• • ガラス転位
    応350
• • ガラス転移温度
    応349
• • ガラスびん
    応445
  • • ―のリサイクル
      応445
• • ガラスボンド型ペースト
    基276
• • ガラスレーザ
    応1114
• • カリ鉱
    応14
• • カリ長石
    応11, 49, 586, 590
• • 顆粒
    基174, 175, 180
• • 軽石
    応1316
• • カルコゲナイドガラス
    応1117
• • カルコゲン化合物ガラス
    応362
• • カルサイト
    応97
• • ―の構造
    応154
• • カルシア
    応97
• • カルシウム欠損水酸アパタイト
    応1509
• • カルシウムシリケート水和物
    応266
• • カルシライト
    応26
• • カルディス法
    基253
• • カルノー・サイクル
    基7, 9
• • カルノーの定理
    基8
• • カルビン
    応1399, 1402
• • 過冷却液体
    応349
• • カレット
    応590
• • カレンダ法
    基188
• • 瓦用基礎釉
    応711
• • 岩塩
    応14, 24
• • 岩塩型ブロック
    応977
• • ガン温熱治療用セラミック材料
    応1524
• • 管ガラス
    応482
• • 環境触媒
    応1606
• • 環境対策ガラス
    応452
• • 環境とセメント
    応338
• • 環境負荷物質
    応1601
• • 環境ホルモン
    応1605, 1611
• • 含金絵具
    応600
• • 間隙相
    応260
• • 還元再酸化型コンデンサ
    応1015
• • 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ
    応1013
• • 還元焼成
    応642
• • 還元雰囲気
    応690, 701
• • 乾式消化
    応164
• • 乾式シリカ
    応75
  • • ―の物性
      応76
• • 乾式成形
    基180
• • 乾式製造
    応539
• • 乾式フリット
    応541
• • 乾式プレス成形
    応685
• • 乾式分級
    基170
• • 乾式粉砕
    基160, 応39
• • 乾式法
    基183
• • 干渉計
    応434
• • 環状ケイ酸塩
    基50, 応10
• • 鹹水
    応95
• • 関節シミュレータ
    応1490, 1505
• • 完全反磁性成分
    応1596
• • 乾燥過程
    基191
• • 乾燥・硬化型ペースト
    応950, 953
• • 乾燥収縮曲線
    応638
• • 乾燥装置
    基196, 応690
• • 乾燥特性曲線
    応637
• • ガン治療用ガラス
    応497
• • 感度
    基369
• • 貫入
    応647, 650
• • 貫入法
    応391
• • 乾粉成形
    応579
• • ガン放射線治療用セラミック材料
    応1523
• • γ酸化鉄
    応1391
• • ガンマ分布
    基284
• • 橄欖岩(石)
    応13, 56
• • 環流磁区
    基403
• • 間粒状組織
    基583
• • 顔料
    応517, 596, 653
• • 乾量基準含水率
    基192
• • 緩和型強誘電体
    応1040
• • 緩和型分散
    基359, 応1001
• • 緩和時間
    基360
• • 緩和周波数
    基361
• • 緩和法
    基449