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セラミック工学ハンドブック 基礎・資料 日本セラミックス協会 編

技報堂出版/2002.3

当館請求記号:PA2-G92


目次


  • 基礎 第1編
    材料の基礎科学
    • 1.
      相平衡
      5
      • 1.1
        熱力学
        5
        • 1.1.1
          熱力学とは
          5
        • 1.1.2
          熱平衡と状態量
          5
        • 1.1.3
          内部エネルギーと熱力学第1法則
          5
        • 1.1.4
          準静的過程と仕事
          6
        • 1.1.5
          カルノー・サイクルと熱力学第2法則
          7
        • 1.1.6
          クラウジウスの不等式とエントロピー
          8
        • 1.1.7
          最大仕事と自由エネルギー
          9
        • 1.1.8
          最小仕事と熱平衡
          9
        • 1.1.9
          相平衡と相律
          10
      • 1.2
        相平衡と状態図
        11
        • 1.2.1
          熱力学的平衡
          11
        • 1.2.2
          相平衡
          14
      • 1.3
        状態図の利用
        23
        • 1.3.1
          スピノーダル分解・分相
          23
        • 1.3.2
          凝固過程
          25
        • 1.3.3
          雰囲気制御
          26
        • 1.3.4
          単結晶育成
          27
    • 2.固体化学・構造
      28
      • 2.1概説
        28
        • 2.2
          固体化学
          28
        • 2.2.1
          周期律と元素
          28
        • 2.2.2
          化学結合
          29
        • 2.2.3
          イオン半径
          29
        • 2.2.4
          格子エネルギー
          30
      • 2.3
        結晶学
        30
        • 2.3.1
          結晶の対称性
          30
        • 2.3.2
          格子定数
          37
        • 2.3.3
          構造タイプとその関連
          38
      • 2.4
        結晶変態
        64
        • 2.4.1
          結晶変態の定義
          64
        • 2.4.2
          結晶変態の構造特性
          64
        • 2.4.3
          SiO2の結晶変態
          65
      • 2.5
        欠陥構造
        66
        • 2.5.1
          点欠陥
          66
        • 2.5.2
          線欠陥
          66
        • 2.5.3
          面欠陥
          66
      • 2.6
        非化学量論性
        67
        • 2.6.1
          アニオン欠陥型
          67
        • 2.6.2
          カチオン欠陥型
          68
    • 3.
      表面と界面
      69
      • 3.1
        概説
        69
      • 3.2
        表面,界面の物理化学
        70
        • 3.2.1
          表面,界面の熱力学
          70
        • 3.2.2
          表面張力の測定
          72
        • 3.2.3
          固体の表面エネルギーの計算法
          74
        • 3.2.4
          固体表面張力の異方性
          74
      • 3.3
        固体一気体界面
        75
        • 3.3.1
          吸着
          75
        • 3.3.2
          触媒反応
          76
        • 3.3.3
          反応
          77
      • 3.4
        固体一液体界面
        78
        • 3.4.1
          ぬれ
          78
        • 3.4.2
          電気二重層
          79
        • 3.4.3
          LB膜
          80
        • 3.4.4
          反応
          81
      • 3.5
        固体一固体界面
        82
        • 3.5.1
          界面
          82
        • 3.5.2
          粒界
          83
        • 3.5.3
          反応
          83
    • 4.拡散
      86
      • 4.1
        概説
        86
      • 4.2
        拡散の現象論
        86
        • 4.2.1
          フィックの法則と拡散方程式
          86
        • 4.2.2
          拡散方程式の解
          86
      • 4.3
        拡散の原子論
        88
        • 4.3.1
          拡散の機構
          88
        • 4.3.2
          自己拡散係数のミクロな内容
          88
      • 4.4
        拡散係数
        89
        • 4.4.1
          定比化合物の拡散
          89
        • 4.4.2
          不定比性酸化物中の拡散
          90
        • 4.4.3
          蛍石型構造中の拡散
          91
      • 4.5
        拡散による反応
        92
        • 4.5.1
          金属の酸化反応
          92
        • 4.5.2
          加成反応
          92
      • 4.6
        溶融体の拡散・粘度
        93
        • 4.6.1
          粘性
          93
        • 4.6.2
          圧力と粘度
          94
        • 4.6.3
          拡散と粘度の関係
          95
        • 4.6.4
          電気伝導度と拡散係数
          95
    • 5.
      粉体
      98
      • 5.1
        粉体の定義・特性
        98
      • 5.2
        粉体の基礎特性
        99
        • 5.2.1
          粒度
          99
        • 5.2.2
          粒子間相互作用
          102
      • 5.3
        粉体の充填構造
        102
        • 5.3.1
          粉体の密度
          103
        • 5.3.2
          粉体のかさ密度
          103
        • 5.3.3
          粉体の充填構造と圧密過程
          103
      • 5.4
        粉体分散系の特性
        104
        • 5.4.1
          一般特性
          104
        • 5.4.2
          粘土分散系の特性
          106
      • 5.5
        粉体の粒子設計
        106
      • 5.6
        超微粒子・機能性粉体
        106
        • 5.6.1
          生成法および応用
          106
        • 5.6.2
          焼結体原料粉
          107
    • 6.
      焼結
      109
      • 6.1
        焼結現象
        109
        • 6.1.1
          焼結の定義
          109
        • 6.1.2
          焼結の初期過程—接合とネックの形成
          109
        • 6.1.3
          焼結の中期過程—粒成長と収縮
          110
        • 6.1.4
          焼結の後期過程—閉気孔の消滅と緻密化
          110
        • 6.1.5
          各種焼結方法
          111
      • 6.2
        焼結モデル・速度論
        111
        • 6.2.1
          焼結モデル
          111
        • 6.2.2
          焼結速度論
          112
        • 6.2.3
          初期焼結速度式
          113
        • 6.2.4
          中期・後期段階
          114
      • 6.3
        液相焼結
        114
        • 6.3.1
          液相が焼結に及ぼす影響
          114
        • 6.3.2
          初期焼結
          115
        • 6.3.3
          中期焼結
          115
        • 6.3.4
          終期焼結
          116
      • 6.4
        反応焼結
        116
        • 6.4.1
          はじめに
          116
        • 6.4.2
          反応物質の供給
          117
        • 6.4.3
          化学反応
          117
        • 6.4.4
          焼結
          118
        • 6.4.5
          微細構造
          118
      • 6.5
        最近の動き
        120
        • 6.5.1
          粒界拡散の重要性
          120
        • 6.5.2
          異常成長粒子の制御
          120
        • 6.5.3
          ニアネットシェイプ焼結
          121
    • 7.
      結晶化
      122
      • 7.1
        概説
        122
      • 7.2
        結晶化理論
        123
        • 7.2.1
          核生成
          123
        • 7.2.2
          結晶成長
          124
      • 7.3
        シミュレーション
        128
        • 7.3.1
          成長理論への応用
          128
        • 7.3.2
          結晶育成時の熱と物質移動の解析
          129
      • 7.4
        バルク結晶育成
        131
        • 7.4.1
          育成法の選択
          131
        • 7.4.2
          融液法
          132
        • 7.4.3
          溶液法
          133
        • 7.4.4
          気相法
          134
        • 7.4.5
          固相法
          135
        • 7.4.6
          高圧環境下での育成
          136
      • 7.5
        薄膜結晶
        137
        • 7.5.1
          多結晶膜作製
          137
        • 7.5.2
          単結晶膜
          139
  • 基礎 第2編
    材料の製造プロセス
    • 1.
      概説
      145
    • 2.
      粉体原料の調整と前処理
      147
      • 2.1
        概説
        147
      • 2.2
        粉体の製造法
        148
        • 2.2.1
          気相法
          148
        • 2.2.2
          液相法
          151
        • 2.2.3
          固相法
          153
      • 2.3
        表面処理
        156
        • 2.3.1
          表面改質物質の吸着による表面処理
          156
        • 2.3.2
          表面化学反応を用いた方法
          158
        • 2.3.3
          物理的・メカノケミカル的手法
          159
    • 3.
      粉砕
      160
      • 3.1
        概説
        160
      • 3.2
        粉砕過程
        160
        • 3.2.1
          粉砕過程の分類
          160
        • 3.2.2
          粉砕機の分類
          161
      • 3.3
        粉砕の理論
        162
        • 3.3.1
          粉砕機構と固体の物性
          162
        • 3.3.2
          粉砕の仕事法則
          162
        • 3.3.3
          粉砕エネルギー効率および粉砕能
          162
        • 3.3.4
          摩擦現象
          165
      • 3.4
        粉砕生成物の粒度分布
        165
        • 3.4.1
          粉砕生成物の粒度分布の表し方
          165
        • 3.4.2
          粒度分布の近似関数
          166
      • 3.5
        粉砕とメカノケミストリー
        167
        • 3.5.1
          粉砕とメカノケミストリー
          167
        • 3.5.2
          焼結性に対するメカノケミカル効果
          169
      • 3.6
        分級
        170
        • 3.6.1
          湿式分級技術の分類
          170
        • 3.6.2
          分級結果の評価
          171
    • 4.
      成形
      173
      • 4.1
        概説
        173
      • 4.2
        成形用スラリー・顆粒の調製
        174
      • 4.3
        鋳込み成形
        176
      • 4.4
        塑性成形
        178
        • 4.4.1
          ろくろ成形
          178
        • 4.4.2
          押出し成形
          179
      • 4.5
        乾式成形
        180
        • 4.5.1
          顆粒の調製と特性
          181
        • 4.5.2
          一軸加圧成形の装置と工程
          181
        • 4.5.3
          成形体の均質性
          182
      • 4.6
        アイソスタティック成形
        183
        • 4.6.1
          アイソスタティック成形法(CIP)の原理と種類
          183
        • 4.6.2
          成形体密度に及ぼすCIP圧力とCIP繰返し数の効果
          184
      • 4.7
        射出成形
        185
      • 4.8
        シート成形
        187
        • 4.8.1
          ドクターブレード法
          187
        • 4.8.2
          カレンダ法
          188
    • 5.
      乾燥
      191
      • 5.1
        概説
        191
      • 5.2
        乾燥過程
        191
        • 5.2.1
          粒子の充填状態
          192
        • 5.2.2
          乾燥に伴う巨視的状態変化
          192
        • 5.2.3
          予熱期間
          192
        • 5.2.4
          恒率乾燥期間
          192
        • 5.2.5
          限界含水率
          193
        • 5.2.6
          減率乾燥期間第1段
          193
        • 5.2.7
          減率乾燥期間第2段
          193
        • 5.2.8
          水分分布
          194
      • 5.3
        乾燥中の成形体の収縮と変形・亀裂の発生
        194
        • 5.3.1
          乾燥の段階と収縮
          194
        • 5.3.2
          応力の生成と亀裂の発生
          195
        • 5.3.3
          成形体中の不均質と変形,亀裂
          196
      • 5.4
        各種乾燥方法と装置
        196
        • 5.4.1
          成形体乾燥装置
          196
        • 5.4.2
          粉体乾燥装置
          198
      • 5.5
        脱脂
        199
        • 5.5.1
          脱脂プロセスの設計因子
          199
        • 5.5.2
          主な脱脂プロセス
          200
    • 6.
      焼成と焼結
      202
      • 6.1
        概説
        202
      • 6.2
        焼成
        203
        • 6.2.1
          焼成炉の種類と形式
          203
        • 6.2.2
          燃焼式焼成炉
          207
        • 6.2.3
          電気加熱焼成炉
          210
        • 6.2.4
          常圧焼成炉の最近の進歩
          211
      • 6.3
        焼結
        212
        • 6.3.1
          焼結法の種類
          212
        • 6.3.2
          常圧焼結
          213
        • 6.3.3
          反応焼結
          215
        • 6.3.4
          ホットプレス焼結
          216
        • 6.3.5
          ガス圧焼結
          218
        • 6.3.6
          熱間等方圧焼結
          219
        • 6.3.7
          その他の焼結法
          222
    • 7.
      溶融
      227
      • 7.1
        概説
        227
      • 7.2
        溶融の基礎
        227
      • 7.3
        酸化物の溶融
        230
    • 8.
      厚膜・薄膜合成
      231
      • 8.1
        概説
        231
        • 8.1.1
          気相法
          231
        • 8.1.2
          液相法
          233
        • 8.1.3
          固相法
          233
      • 8.2
        PVD法
        233
        • 8.2.1
          基礎過程
          234
        • 8.2.2
          今後の展開
          236
      • 8.3
        CVD法
        237
        • 8.3.1
          原理と分類
          237
        • 8.3.2
          CVD装置および条件
          238
        • 8.3.3
          生成物の形態
          239
        • 8.3.4
          CVDの具体例
          240
      • 8.4
        液相法
        241
      • 8.5
        その他の合成法
        242
        • 8.5.1
          電気泳動法[Electrophoretic deposition(EPD)process]
          243
        • 8.5.2
          バイオミメティック法(Biomimetic process)
          243
    • 9.
      単結晶合成
      246
      • 9.1
        概説
        246
      • 9.2
        引上げ法
        246
      • 9.3
        帯域溶融法
        249
      • 9.4
        フラックス法
        251
        • 9.4.1
          フラックス法の特徴
          251
        • 9.4.2
          フラックスの選択
          251
        • 9.4.3
          結晶の育成実験と育成例
          251
        • 9.4.4
          フラックス法の応用
          252
      • 9.5
        気相合成法
        252
        • 9.5.1
          物理的気相法
          253
        • 9.5.2
          化学的気相法
          253
    • 10.
      仕上げ加工と接合
      255
      • 10.1
        概説
        255
      • 10.2
        加工・仕上げ技術の基礎
        256
        • 10.2.1
          セラミックスと後加工
          256
        • 10.2.2
          セラミックスの加工法
          256
        • 10.2.3
          セラミックスの仕上げ技術
          256
      • 10.3
        切断と穴あけ
        257
        • 10.3.1
          外周型ダイヤモンド砥石による切断
          257
        • 10.3.2
          内周型ダイヤモンド砥石による切断
          258
        • 10.3.3
          マルチワイヤによる切断
          259
        • 10.3.4
          マルチブレードによる切断
          260
        • 10.3.5
          超音波加工による穴あけ
          260
        • 10.3.6
          低周波振動による穴あけ
          261
        • 10.3.7
          穴あけ条件,環境の影響
          261
      • 10.4
        表面加工
        262
        • 10.4.1
          セラミックスの研削加工
          262
        • 10.4.2
          セラミックスの鏡面研削
          264
        • 10.4.3
          セラミックスの研磨加工
          265
        • 10.4.4
          セラミックスの特殊加工
          266
      • 10.5
        接合
        268
        • 10.5.1
          接合の基礎パラメータ
          268
        • 10.5.2
          接合技術
          271
      • 10.6
        電極形成
        275
        • 10.6.1
          厚膜法
          276
        • 10.6.2
          接着メカニズム
          277
        • 10.6.3
          薄膜法
          279
    • 11.
      品質管理
      281
      • 11.1
        概説
        281
      • 11.2
        観測値の統計処理
        281
        • 11.2.1
          記述統計
          281
        • 11.2.2
          分布関数
          283
        • 11.2.3
          ワイブル分布
          286
        • 11.2.4
          標本分布
          288
        • 11.2.5
          母数の推定(estimation of population parameter)
          289
        • 11.2.6
          検定
          290
      • 11.3
        抜取検査
        291
        • 11.3.1
          抜取検査とは
          291
        • 11.3.2
          検査のコスト
          291
        • 11.3.3
          抜取方法
          292
  • 基礎 第3編
    材料物性
    • 1.
      概説
      299
      • 1.1
        材料物性と構造
        299
      • 1.2
        結晶構造と物性
        299
      • 1.3
        テンソル量と異方性
        300
      • 1.4
        不均質性と物性
        300
      • 1.5
        材料設計
        301
    • 2.
      基礎物性
      303
      • 2.1
        ポロシティと細孔径測定
        303
        • 2.1.1
          密度測定
          303
        • 2.1.2
          多孔性試料の密度とポロシティ
          303
        • 2.1.3
          比表面積と細孔径分布
          304
        • 2.1.4
          窒素吸着法(BET法)
          304
        • 2.1.5
          細孔径分布
          305
        • 2.1.6
          水銀圧入法
          305
      • 2.2
        膜厚測定
        305
        • 2.2.1
          膜厚モニタ
          305
        • 2.2.2
          膜厚測定法
          306
    • 3.
      機械的性質
      309
      • 3.1
        弾性率
        309
        • 3.1.1
          等方均質体の弾性率
          309
        • 3.1.2
          結晶性固体の弾性率
          310
        • 3.1.3
          弾性率の測定法
          312
        • 3.1.4
          弾性率と原子間結合力
          312
        • 3.1.5
          弾性的性質と微構造
          313
      • 3.2
        硬度
        314
      • 3.3
        強度とその分布
        316
        • 3.3.1
          理論強度と実測強度
          316
        • 3.3.2
          強度分布
          317
        • 3.3.3
          強度試験法
          320
      • 3.4
        破壊力学パラメータ
        322
        • 3.4.1
          破壊力学の基礎概念
          322
        • 3.4.2
          臨界応力以下で生じるクラックの進展
          323
        • 3.4.3
          線形破壊力学の適用限界
          324
        • 3.4.4
          破壊力学パラメータの評価
          325
        • 3.4.5
          セラミックスの破壊靱性発現メカニズム
          326
      • 3.5
        衝撃破壊
        327
        • 3.5.1
          試験法
          327
        • 3.5.2
          衝撃速度依存性
          327
        • 3.5.3
          温度依存性
          327
        • 3.5.4
          粒子衝突破壊
          328
      • 3.6
        熱衝撃破壊
        328
        • 3.6.1
          熱衝撃試験のキーポイント
          328
        • 3.6.2
          熱衝撃試験法
          329
        • 3.6.3
          熱衝撃パラメータ
          329
        • 3.6.4
          熱衝撃破壊靭性
          330
      • 3.7
        摩耗
        331
        • 3.7.1
          摩耗の分類
          331
        • 3.7.2
          摩耗の進行
          331
        • 3.7.3
          比摩耗量・摩耗ファクター
          331
        • 3.7.4
          表面物質層
          332
        • 3.7.5
          温度・粒子線放射
          332
        • 3.7.6
          雰囲気
          332
        • 3.7.7
          組織の影響
          333
        • 3.7.8
          トライボケミカル反応
          333
      • 3.8
        ゆっくりした亀裂の伝播
        334
      • 3.9
        疲労
        336
        • 3.9.1
          疲労試験
          336
        • 3.9.2
          亀裂の成長過程と疲労
          337
        • 3.9.3
          繰返し疲労のメカニズム
          339
      • 3.10
        高温破壊
        339
        • 3.10.1
          セラミックスの高温破壊の特徴
          340
        • 3.10.2
          セラミックスの高温での破壊靱性
          340
        • 3.10.3
          セラミックスの高温での機械的特性の評価方法
          341
      • 3.11
        クリープ
        341
        • 3.11.1
          クリープ理論
          341
        • 3.11.2
          変形機構図
          345
      • 3.12
        超塑性
        345
        • 3.12.1
          超塑性の特徴と変形機構
          345
        • 3.12.2
          超塑性化の材料設計
          346
        • 3.12.3
          超塑性利用成形加工技術
          347
    • 4.
      電気的性質
      351
      • 4.1
        導電率
        351
        • 4.1.1
          電子導電性
          351
        • 4.1.2
          真性半導体と不純物半導体
          352
        • 4.1.3
          セラミッソクス半導体
          353
        • 4.1.4
          イオン導電性
          353
        • 4.1.5
          イオン輸率
          353
      • 4.2
        絶縁抵抗と絶縁破壊電圧
        354
        • 4.2.1
          絶縁抵抗とは
          354
        • 4.2.2
          絶縁抵抗測定の難しさ
          354
        • 4.2.3
          絶縁抵抗の基礎理論
          355
        • 4.2.4
          絶縁破壊の基礎理論
          356
        • 4.2.5
          セラミックスの特徴
          356
        • 4.2.6
          絶縁抵抗測定法
          357
        • 4.2.7
          絶縁破壊特性測定法
          357
      • 4.3
        誘電率
        358
        • 4.3.1
          誘電率と分極
          358
        • 4.3.2
          分極率
          359
        • 4.3.3
          誘電率の温度依存性
          360
        • 4.3.4
          誘電率の周波数依存性
          360
        • 4.3.5
          強誘電体の誘電率
          362
      • 4.4
        圧電定数
        363
        • 4.4.1
          関係式
          363
        • 4.4.2
          セラミック圧電体の圧電定数
          365
        • 4.4.3
          圧電定数測定
          365
        • 4.4.4
          機械的品質係数
          368
        • 4.4.5
          周波数定数
          369
        • 4.4.6
          焦電係数
          369
      • 4.5
        酸化物高温超伝導体
        369
        • 4.5.1
          概要
          369
        • 4.5.2
          酸化物高温超伝導体の特性
          371
        • 4.5.3
          合成法
          374
      • 4.6
        センサ機能
        375
        • 4.6.1
          五感とセンサ
          375
        • 4.6.2
          光センサ
          376
        • 4.6.3
          変位センサ
          376
        • 4.6.4
          温度センサ
          377
    • 5.
      磁気的性質
      379
      • 5.1
        磁性の起源
        379
      • 5.2
        磁気の単位
        381
      • 5.3
        磁性の種類
        382
        • 5.3.1
          無秩序磁性
          382
        • 5.3.2
          反強磁性
          383
        • 5.3.3
          強磁性
          385
      • 5.4
        磁化機構と磁化測定
        390
        • 5.4.1
          多磁区結晶の磁化機構
          390
        • 5.4.2
          単磁区微粒子の磁化機構
          391
        • 5.4.3
          動的磁化機構
          392
        • 5.4.4
          磁化測定
          393
      • 5.5
        磁気異方性と磁気ひずみ
        395
        • 5.5.1
          磁気異方性
          395
        • 5.5.2
          磁気ひずみ
          397
      • 5.6
        磁区と磁区観察
        397
        • 5.6.1
          磁区の観察方法
          397
        • 5.6.2
          磁壁
          401
        • 5.6.3
          種々の磁区構造
          403
    • 6.
      光学的性質
      407
      • 6.1
        セラミックスの色
        407
      • 6.2
        光吸収
        408
      • 6.3
        反射率
        410
        • 6.3.1
          鏡面(正)反射率
          410
        • 6.3.2
          拡散反射率
          411
      • 6.4
        屈折率
        411
        • 6.4.1
          浸液による方法
          411
        • 6.4.2
          焦点移動による方法
          412
        • 6.4.3
          臨界角を利用する方法
          412
        • 6.4.4
          分光計による方法
          413
      • 6.5
        光散乱
        414
        • 6.5.1
          ミー散乱
          414
        • 6.5.2
          材料固有の光散乱
          414
      • 6.6
        蛍光・りん光
        416
        • 6.6.1
          発光中心
          416
        • 6.6.2
          励起状態の緩和
          417
        • 6.6.3
          励起過程
          418
      • 6.7
        非線形光学効果
        419
        • 6.7.1
          はじめに
          419
        • 6.7.2
          測定技術
          420
        • 6.7.3
          まとめ
          422
    • 7.
      化学的性質
      423
      • 7.1
        酸化・還元
        423
        • 7.1.1
          酸化雰囲気におけるセラミックスの安定性
          423
        • 7.1.2
          Ellingham図
          423
        • 7.1.3
          CO2やH2Oによる酸化
          424
        • 7.1.4
          非酸化物セラミックスの高温酸化
          424
        • 7.1.5
          複合材料の安定性
          425
      • 7.2
        侵食
        426
        • 7.2.1
          耐火物
          426
        • 7.2.2
          セメント硬化体の侵食
          429
        • 7.2.3
          ガラス
          431
        • 7.2.4
          セラミックスの高温腐食
          432
      • 7.3
        インターカレーション
        434
      • 7.4
        層間架橋(ピラリング)
        435
    • 8.
      熱的性質
      438
      • 8.1
        熱分析技術
        438
        • 8.1.1
          熱分析とは
          438
        • 8.1.2
          示差熱分析(DTA)および示差走査熱量測定(DSC)
          439
        • 8.1.3
          熱重量測定
          441
        • 8.1.4
          熱機械分析,熱膨張測定
          446
      • 8.2
        熱量
        447
        • 8.2.1
          熱量計の基本原理
          447
        • 8.2.2
          非反応系のカロリメトリー
          447
        • 8.2.3
          反応系カロリメトリー
          450
      • 8.3
        蒸気圧と蒸発
        450
        • 8.3.1
          セラミックスと高温蒸発
          450
        • 8.3.2
          高温蒸気種
          451
        • 8.3.3
          蒸気圧の測定法
          452
      • 8.4
        熱伝導
        453
        • 8.4.1
          格子振動による熱伝導
          454
        • 8.4.2
          その他の効果による熱伝導
          455
        • 8.4.3
          熱伝導率および熱拡散率の測定法
          455
      • 8.5
        熱膨張
        456
        • 8.5.1
          熱膨張係数
          456
        • 8.5.2
          熱膨張の機構と理論
          457
        • 8.5.3
          多結晶体および複合体の熱膨張
          457
        • 8.5.4
          熱膨張の測定
          458
        • 8.5.5
          熱膨張データと探索
          462
      • 8.6
        加熱と温度測定
        462
        • 8.6.1
          加熱
          462
        • 8.6.2
          温度計測
          463
  • 基礎 第4編
    分析
    • 1.
      概説
      473
      • 1.1
        材料工学における分析の役割
        473
        • 1.1.1
          キャラクタリゼーションの目的意識
          473
        • 1.1.2
          キャラクタリゼーションの究極の目的
          473
      • 1.2
        セラミックスのキャラクタリゼーションの進歩
        474
        • 1.2.1
          セラミックスにおける構造・組織の多様性
          474
        • 1.2.2
          新しい分析手法
          474
      • 1.3
        今後のキャラクタリゼーションの方向性
        475
        • 1.3.1
          「古い問題」に再度光を
          475
        • 1.3.2
          セラミックスの粒界の問題
          475
        • 1.3.3
          非晶質と結晶質の中間状態
          475
        • 1.3.4
          薄膜表面の性質と諸現象
          475
      • 1.4
        まとめ
        475
    • 2.
      組成分析法
      477
      • 2.1
        化学組成分析法
        477
        • 2.1.1
          重量分析法
          477
        • 2.1.2
          容量分析法
          479
        • 2.1.3
          ケイ酸塩の分析法
          481
      • 2.2
        吸光法および発光法
        487
        • 2.2.1
          吸光光度法
          487
        • 2.2.2
          フローインジェクション分析法
          490
        • 2.2.3
          原子吸光法
          492
        • 2.2.4
          ICP発光法
          497
        • 2.2.5
          スパークまたはアーク発光法
          501
      • 2.3
        クロマトグラフィー
        503
        • 2.3.1
          ガスクロマトグラフィー
          503
        • 2.3.2
          液体クロマトグラフィー
          506
        • 2.3.3
          イオンクロマトグラフィー
          510
      • 2.4
        蛍光X線分析法
        512
        • 2.4.1
          概要
          512
        • 2.4.2
          原理
          512
        • 2.4.3
          装置
          514
        • 2.4.4
          分析方法
          517
      • 2.5
        質量分析法
        519
        • 2.5.1
          概要
          519
        • 2.5.2
          原理
          519
        • 2.5.3
          無機化合物のイオン化
          520
        • 2.5.4
          有機化合物のイオン化方法
          522
        • 2.5.5
          イオンの分離
          523
        • 2.5.6
          イオンの検出
          525
        • 2.5.7
          分析方法
          525
      • 2.6
        放射化分析法
        525
        • 2.6.1
          概要
          525
        • 2.6.2
          分析方法
          526
        • 2.6.3
          定量分析
          526
        • 2.6.4
          おわりに
          529
    • 3.
      構造・状態分析法
      531
      • 3.1
        X線回折法
        531
        • 3.1.1
          X線回折法の基礎
          531
        • 3.1.2
          粉末法
          533
        • 3.1.3
          単結晶法
          544
        • 3.1.4
          小角X線散乱法
          548
      • 3.2
        XAFS法
        550
        • 3.2.1
          XAFSの応用
          550
        • 3.2.2
          EXAFS
          551
        • 3.2.3
          XANES
          552
        • 3.2.4
          XAFSの測定
          553
        • 3.2.5
          種々のXAFS
          554
      • 3.3
        放射光を利用した分析法
        554
        • 3.3.1
          概要
          554
        • 3.3.2
          原理
          554
        • 3.3.3
          装置
          557
        • 3.3.4
          分析方法
          558
      • 3.4
        赤外分光法
        559
        • 3.4.1
          概要
          559
        • 3.4.2
          原理
          560
        • 3.4.3
          装置
          560
        • 3.4.4
          分析方法
          561
      • 3.5
        ラマン分光法
        562
        • 3.5.1
          概要
          562
        • 3.5.2
          原理
          563
        • 3.5.3
          装置
          563
        • 3.5.4
          分析方法
          564
      • 3.6
        磁気共鳴分析法
        565
        • 3.6.1
          電子スピン共鳴
          565
        • 3.6.2
          NMR
          570
        • 3.6.3
          メスバウアー分光法
          573
      • 3.7
        X線光電子分光法
        577
        • 3.7.1
          概要
          577
        • 3.7.2
          原理
          577
        • 3.7.3
          化学シフトについて
          577
        • 3.7.4
          XPSの特徴と測定における注意事項
          578
        • 3.7.5
          測定例
          578
      • 3.8
        光学顕微鏡
        581
        • 3.8.1
          微構造と組織
          581
        • 3.8.2
          偏光顕微鏡
          585
        • 3.8.3
          反射顕微鏡
          590
        • 3.8.4
          高温顕微鏡
          592
      • 3.9
        超音波診断法と放射線検査法
        592
        • 3.9.1
          概要
          592
        • 3.9.2
          超音波診断法の原理
          593
        • 3.9.3
          超音波診断法
          593
        • 3.9.4
          超音波診断法の装置
          594
        • 3.9.5
          放射線透過検査の原理と方法
          596
        • 3.9.6
          放射線検査の装置
          596
    • 4.
      微小領域分析法
      600
      • 4.1
        電子回折
        600
        • 4.1.1
          LEED
          600
        • 4.1.2
          RHEED
          603
        • 4.1.3
          電子回折
          606
      • 4.2
        電子顕微鏡
        609
        • 4.2.1
          TEM
          609
        • 4.2.2
          STEM
          619
        • 4.2.3
          EELS法
          622
        • 4.2.4
          SEM
          625
      • 4.3
        X線マイクロアナリシス分析
        631
        • 4.3.1
          はじめに
          631
        • 4.3.2
          電子線と物質の相互作用
          631
        • 4.3.3
          EPMAの構造
          632
        • 4.3.4
          分析試料
          634
        • 4.3.5
          分析条件の設定
          634
        • 4.3.6
          分布分析
          634
        • 4.3.7
          定量分析
          634
      • 4.4
        オージェ電子分光法
        635
        • 4.4.1
          概要
          635
        • 4.4.2
          原理
          635
        • 4.4.3
          装置
          636
        • 4.4.4
          分析方法
          636
      • 4.5
        イオンマイクロアナリシス
        637
        • 4.5.1
          SIMS
          637
        • 4.5.2
          RBS
          643
      • 4.6
        その他の方法
        643
        • 4.6.1
          STM
          643
        • 4.6.2
          AFM
          647
        • 4.6.3
          レーザプローブ分光法
          650
  • 資料
    • 1.
      物理量と単位
      657
      • 1.1
        SI基本単位
        657
      • 1.2
        SI接頭語
        657
      • 1.3
        SI誘導単位
        657
      • 1.4
        SIと併用される単位
        657
      • 1.5
        その他の単位
        658
      • 1.6
        SI,CGS系および工学単位系の対照表
        658
      • 1.7
        圧力単位の換算表
        658
      • 1.8
        エネルギー単位の換算表
        659
    • 2.
      基礎物理定数
      660
    • 3.
      ギリシャ文字
      661
    • 4.
      各種幾何図形面積と体積
      662
    • 5.
      元素の周期表
      665
    • 6.
      元素・単体の性質
      666
      • 6.1
        元素・単体の諸性質
        666
      • 6.2
        元素の電子配置
        676
      • 6.3
        単体の熱伝導率
        678
      • 6.4
        標準電極電位
        680
    • 7.
      結晶学的諸データ
      682
      • 7.1
        イオン半径
        682
      • 7.2
        金属結合半径
        683
      • 7.3
        Van der Waals半径
        684
      • 7.4
        共有結合半径
        684
      • 7.5
        電気陰性度
        685
      • 7.6
        電子親和力
        685
      • 7.7
        イオンの分極率および分解能
        686
    • 8.
      ICP発光分光,原子吸収分光および炎光分光分析による元素の検出限界比較表
      687
    • 9.
      固有X線スペクトルおよび吸収端波長表
      688
    • 10.
      温度の定点
      692
      • 10.1
        1968年採択された国際温度目盛(IPTS-68の定義定点)と一次定点
        692
      • 10.2
        IPTS-68による二次定点
        692
      • 10.3
        1976年採択された暫定温度目盛(EPT-76)T76の参照点
        692
      • 10.4
        アメリカ・カネギー地球物理学研究所の温度定点
        692
      • 10.5
        1990年採択された国際温度目盛(ITS-90)
        693
    • 11.
      各種熱電対の規準熱起電力
      694
      • 11.1
        JIS規格(JIS C 1602-1995)に規定されている熱電対
        694
      • 11.2
        JIS規格外の熱電対
        704
    • 12.
      ゼーゲルコーン組成と溶倒温度,オルトンコーンの溶倒温度
      707
    • 13.
      主要酸化物の融点と蒸気圧
      710
    • 14.
      主要セラミックスの比熱
      713
    • 15.
      基準ふるい
      727
      • 15.1
        JIS規格(JIS Z 8801-1:2000)に規定されている試験用ふるい
        727
      • 15.2
        JIS規格(JIS Z 8801-2:2000)に規定されている試験用ふるい
        729
      • 15.3
        JIS規格(JIS Z 8801-3:2000)に規定されている試験用ふるい
        730
      • 15.4
        各国標準ふるい比較表
        731
    • 16.
      主要セラミックスの硬さ
      733
      • 16.1
        モース硬さ
        733
      • 16.2
        その他の硬さと概略対照図
        734
    • 17.
      主要鉱物の化学組成
      735
    • 18.
      主要平衡状態図
      737
  • 総索引
    779